时间：2025/7/23 8:24:40
阅读：8
M68AW256ML70ND6 是由 Cypress Semiconductor（现为 Infineon Technologies）生产的一款高性能、低功耗的异步静态随机存取存储器（Asynchronous SRAM）。该器件属于高速CMOS SRAM系列，具有256K x8位的存储容量，适用于需要高速数据存取的工业和通信应用。
容量：256K x8位
电压：2.3V至3.6V
访问时间：70ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
封装引脚数：54
数据总线宽度：8位
封装尺寸：54-TSOP
读取电流（最大）：200mA
待机电流（最大）：10mA
M68AW256ML70ND6 提供了快速的70ns访问时间，使其适用于高速缓存和实时数据处理应用。该器件采用低功耗设计，在待机模式下电流消耗极低，有助于延长电池供电设备的使用寿命。
此外，M68AW256ML70ND6 具有宽电压工作范围（2.3V至3.6V），能够在不同的电源环境下稳定工作。其工业级温度范围（-40°C至+85°C）确保了在严苛环境下的可靠性。
该SRAM采用CMOS工艺制造，具有高抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中稳定运行。TSOP封装形式有助于减少PCB空间占用，适用于紧凑型嵌入式系统设计。
器件支持异步操作，适用于不需要时钟同步的系统架构。其8位数据总线宽度适合多种嵌入式控制器和微处理器的直接连接，减少了外围电路的复杂性。
M68AW256ML70ND6 广泛应用于工业控制系统、通信设备、网络路由器、测试测量仪器、嵌入式系统和便携式电子设备。由于其高速和低功耗特性，它特别适用于需要快速数据存取和节能设计的场合，例如工业自动化设备中的缓存存储、通信模块的数据缓冲以及手持式测试仪器的临时数据存储。
M68AV256AL70PD6, CY62148E, CY62157EV30
