容量：256 Mbit (32MB)
　　组织结构：32M x8/16M x16
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：56
　　读取访问时间：63ns
　　编程/擦除电压：内部电荷泵生成
　　编程时间：100μs/字（典型）
　　擦除时间：1s/块（典型）
　　封装尺寸：标准TSOP尺寸

M68AW256ML-63ZH6 是一款高性能的并行 NOR Flash 存储器，具备多种先进特性，确保其在复杂环境下的稳定性和可靠性。
　　首先，该芯片支持两种数据宽度模式（x8 和 x16），用户可以根据系统需求灵活配置，从而优化系统总线利用率和存储密度。这种灵活性使其适用于多种嵌入式系统架构。
　　其次，M68AW256ML-63ZH6 的工作电压范围为 2.3V 至 3.6V，使其能够在不同电源条件下稳定运行。该芯片还内置电荷泵，可提供芯片内部编程和擦除所需的高压，无需外部高压电源，简化了电路设计并降低了系统成本。　　在耐久性和数据保持方面，M68AW256ML-63ZH6 提供至少 100,000 次编程/擦除周期，数据可保持长达 10 年以上，适用于工业控制、汽车电子等对可靠性要求极高的场合。
　　此外，该芯片采用标准的TSOP封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合高密度 PCB 布局。其宽温工作范围（-40°C 至 +85°C）也使其适用于户外、车载或工业恶劣环境。

M68AW256ML-63ZH6 广泛应用于需要高可靠性、快速读取和大容量非易失性存储的场景。常见应用包括：工业控制系统中的固件存储、嵌入式系统的程序存储、汽车电子设备（如仪表盘、ECU）中的启动代码和配置数据、通信设备中的BIOS和固件更新、智能家电和医疗设备中的参数存储和程序执行。此外，它也适用于需要长时间数据保留的测试设备、自动化设备和军事/航空航天电子系统。

M68AS256AL-63ZH6, M29W256GH5AN6TP