时间：2025/4/28 17:55:28
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M616Z08-20MH3E 是一种高性能的贴片式多层陶瓷电容器（MLCC），广泛应用于需要高稳定性和低损耗的电路设计中。该型号属于 X7R 温度特性的介质材料，具有优良的温度补偿性能和高可靠性，适用于工业、通信及消费类电子产品领域。
该电容器的主要特点是容量稳定性好，在工作电压范围内变化较小，同时具备良好的频率响应特性。
型号：M616Z08-20MH3E
容量：0.02μF (20pF)
额定电压：50V
容差：±5%
尺寸：0402 英寸 (1.0mm x 0.5mm)
介质材料：X7R
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
封装类型：表面贴装 (SMD)
DC偏置特性：低影响
ESR（等效串联电阻）：极低
M616Z08-20MH3E 属于超小型 SMD 型号，其体积小巧，非常适合用于对空间要求较高的电路设计。它采用 X7R 介质材料，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电容值。此外，该型号在高频条件下仍能维持较低的 ESR 和 ESL（等效串联电感），因此特别适合用作电源滤波器、耦合电容或去耦电容。
由于其高可靠性和小尺寸，M616Z08-20MH3E 被广泛应用于射频模块、无线通信设备、传感器系统以及便携式电子设备中。
M616Z08-20MH3E 的典型应用场景包括但不限于以下几种：
1. 高频信号滤波：在射频前端电路中作为匹配网络的一部分，帮助减少干扰并提高信噪比。
2. 电源去耦：为数字 IC 提供稳定的电源供给，减少电压波动。
3. 耦合与旁路：用于音频放大器或运算放大器电路，确保输入输出信号的隔离性。
4. 工业控制设备中的噪声抑制：如电机驱动器和开关电源等场景。
5. 消费类电子产品中的时钟振荡回路：例如智能手机和平板电脑中的晶振旁路电容。
M616Z08-20MH2E
M616Z08-20MH4E
C0402X7R1C20P4T
GRM152B71C20P0
