时间：2025/9/3 21:11:28
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M5M5V108DVP是一款由日本三菱电机（Mitsubishi Electric）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片具有1M位（128K x 8）的存储容量，工作电压为5V，支持异步操作，适用于需要中等容量存储器的嵌入式系统、工业控制设备以及老式计算机外围设备。该封装为28引脚SOJ（Small Outline J-lead）封装，适合表面贴装技术（SMT），具有良好的电气性能和机械稳定性。M5M5V108DVP因其可靠的性能和广泛的兼容性，在工业和通信设备中得到了广泛应用。
容量：1M位（128K x 8）
工作电压：5V ± 10%
访问时间：55ns、70ns、100ns（根据后缀不同）
封装类型：28引脚SOJ
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
封装尺寸：约18.3mm x 9.8mm x 2.5mm
引脚间距：1.27mm
最大功耗：约500mW（典型值）
数据保持电压：≥ 2V
刷新周期：64ms
最大输入电压：0.8V（低电平），2.0V（高电平）
M5M5V108DVP是一款经典的DRAM芯片，具有良好的性能和稳定性。该芯片采用了CMOS工艺制造，能够在5V电压下稳定运行，并支持异步读写操作，适用于多种嵌入式系统和工业控制设备。其28引脚SOJ封装结构支持表面贴装技术，便于自动化生产和维护，同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力。
该芯片支持标准的DRAM接口，具有地址线（A0-A11）、数据线（I/O0-I/O7）、行地址选通（RAS）、列地址选通（CAS）、写使能（WE）等控制信号，便于与主控芯片或微处理器连接。M5M5V108DVP的访问时间分为多个等级，常见的有55ns、70ns和100ns，适用于不同性能需求的系统设计。
此外，M5M5V108DVP具备低功耗待机模式，在数据保持模式下仅需维持最低电压即可保存数据，非常适合对功耗有一定要求的应用场景。其64ms的刷新周期可在多数控制器中得到良好支持，确保数据在不断电情况下长期保存。由于其广泛的应用历史，该芯片的外围电路设计和驱动方式已有成熟方案，可简化系统开发流程。
M5M5V108DVP广泛应用于需要中等容量高速存储的工业控制系统、通信设备、老旧的嵌入式系统以及一些需要扩展内存的计算机外围设备中。例如，它可用于图像缓冲存储、数据缓存、实时控制系统中的临时数据存储等场景。由于其异步接口特性，它也常用于与老式微处理器或控制器配合使用，如在8位或16位单片机系统中作为主存或辅助存储器。此外，在一些对成本和兼容性要求较高的工业设备中，M5M5V108DVP仍然具有一定的应用价值。
ISSI IS61LV1008-55BLLI-S2, Alliance A61LV1008-55BLLI, Cypress CY62148EVLL-55BHE3
