型号：M5M5117P-15
　　制造商：Mitsubishi Electric
　　存储容量：16Kb (2K x 8)
　　封装类型：16-pin DIP
　　工作电压：5V ± 5%
　　存取时间：150ns
　　最大工作频率：约6.67MHz（基于访问周期）
　　刷新周期：典型值为8ms
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　输入电平：TTL兼容
　　电源电流：典型值为40mA（运行模式），待机电流约5mA

M5M5117P-15的最主要特性之一是其采用异步控制架构，这意味着它的读写操作不依赖于外部时钟信号，而是通过RAS（Row Address Strobe）和CAS（Column Address Strobe）两个独立的选通信号来实现地址的分时复用。这种设计显著减少了所需的地址引脚数量，从而降低了封装成本和PCB布线复杂度。在操作过程中，首先将完整的地址分为高8位和低8位，分别通过同一组地址输入引脚在不同时间加载，并由RAS和CAS信号分别锁存行地址和列地址。这种方式虽然牺牲了一定的速度性能，但在当时的集成电路技术水平下是一种非常高效且经济的解决方案。
　　另一个关键特性是其内置的动态存储单元结构，每个存储位由一个晶体管和一个电容组成，能够以较低的成本实现较高的集成密度。然而，由于电容会随时间漏电，因此必须定期对存储阵列进行刷新操作以维持数据完整性。M5M5117P-15支持集中式或分布式刷新模式，典型刷新周期为8毫秒，系统需在此时间内对所有2048个行地址完成至少一次刷新。刷新操作可通过RAS-only刷新方式实现，即在CAS保持高电平的同时脉冲触发RAS信号，从而激活特定行的刷新过程，而不会干扰正常的数据读写流程。
　　此外，该芯片具备TTL电平兼容的输入输出接口，可以直接与当时主流的微处理器（如Z80、8085、6800等）无缝连接，无需额外的电平转换电路，进一步简化了系统设计。其150纳秒的存取时间在当时属于中等偏快水平，适用于大多数非高性能计算场景。功耗方面，该器件在运行模式下的典型电源电流为40mA，在待机或低功耗模式下可降至5mA左右，有助于延长便携式设备的电池寿命。尽管该芯片不具备现代DRAM的突发传输、页模式或同步接口功能，但其简单可靠的架构使其在恶劣工业环境或长期运行系统中表现出良好的稳定性与耐用性。

M5M5117P-15主要应用于20世纪80年代到90年代初的各种嵌入式系统和微型计算机中。它常见于早期的个人计算机、工业控制终端、PLC（可编程逻辑控制器）、打印机控制器、传真机、小型通信交换设备以及测试测量仪器等。由于其2K x 8位的存储结构和TTL电平兼容特性，特别适合与Zilog Z80、Intel 8085、Motorola 6800系列等8位微处理器配合使用，作为主内存或缓冲存储器。在一些图形显示终端或字符发生器中，该芯片也被用于存储显示缓存或字体数据。此外，在电话交换系统和调制解调器中，M5M5117P-15可用于临时存储呼叫记录、协议状态或数据包缓冲区。由于其封装形式为标准16引脚DIP，易于手工焊接和替换，因此也广泛用于教学实验平台和电子爱好者项目中，作为学习DRAM工作原理的实践器件。即使在当前，该芯片仍在一些老旧设备的维修和替代中发挥作用，尤其是在无法获取原厂配件的情况下，技术人员可能通过查找功能相近的替代型号或使用现代仿真方案进行替换。随着电子设备向小型化、高速化发展，这类早期DRAM已基本退出主流市场，但在复古计算（retro computing）社区中仍受到收藏者和修复者的青睐，用于复刻经典计算机系统或还原历史硬件配置。

M5M5117P-15
　　KM41C16AP-15
　　TC5116APL-15
　　UPD4117C-15