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M5M4V4265CTP-6S DO 发布时间 时间:2025/9/28 8:58:05 查看 阅读:11

M5M4V4265CTP-6S DO 是由日本三菱电机(Mitsubishi Electric)生产的一款高速动态随机存取存储器(SDRAM)芯片。该器件属于同步DRAM(Synchronous DRAM)系列,广泛应用于需要中等容量和高性能内存支持的工业控制、网络设备、嵌入式系统以及老式计算机外围设备中。这款芯片采用标准的TSOP(Thin Small Outline Package)封装形式,具有较高的可靠性和稳定性,适用于对温度范围和长期供货有要求的应用场景。其工作电压为3.3V,符合早期SDRAM接口标准,支持突发模式访问和多Bank架构,能够有效提升数据传输效率。尽管随着技术的发展,该型号已逐步被更先进的DDR系列内存所取代,但在一些维护项目或特定工业设备中仍具有重要应用价值。

参数

型号:M5M4V4265CTP-6S
  制造商:Mitsubishi Electric
  存储容量:256Mb (16M x 16位)
  组织结构:4 Banks x 16M Word x 16 Bit
  工作电压:3.3V ± 0.3V
  访问速度:6ns(-6S后缀表示6ns访问时间)
  封装类型:TSOP-II,54引脚
  工作温度范围:0°C 至 +70°C
  时钟频率:最高可达166MHz
  数据总线宽度:16位
  接口类型:LVTTL
  刷新周期:自动/自刷新模式支持
  电源电流:典型值为300mA(工作状态),待机电流小于50mA

特性

M5M4V4265CTP-6S DO 具备多项关键特性,使其在同代SDRAM产品中表现出色。首先,该芯片采用同步设计,所有操作均与外部时钟信号同步,确保了系统总线与内存之间的高效协调,提升了整体系统的响应速度和数据吞吐能力。其内部结构划分为四个独立的Banks,允许在不同Bank之间交替进行读写操作,从而实现流水线式的内存访问,显著减少了等待时间,提高了带宽利用率。
  其次,该器件支持多种低功耗模式,包括空闲模式、预充电待机模式以及自刷新模式。特别是在自刷新模式下,芯片可自主管理DRAM单元的刷新过程,无需外部控制器干预,极大降低了系统功耗,适用于对能耗敏感的便携式或嵌入式设备。
  再者,M5M4V4265CTP-6S 支持突发长度可编程功能(如1、2、4、8字节或整行突发),用户可根据实际应用需求灵活配置数据传输方式,优化性能表现。同时具备CAS潜伏期可调(通常为2或3个时钟周期),增强了与不同主控芯片的兼容性。
  此外,该芯片具有良好的电气特性和抗干扰能力,输入输出接口采用LVTTL电平标准,便于与3.3V逻辑系统直接连接而无需电平转换电路。其TSOP-II封装不仅体积小巧,还具备优良的散热性能和焊接可靠性,适合自动化贴片生产工艺。
  最后,作为三菱电机的经典产品之一,M5M4V4265CTP-6S 在长期供货性、批次一致性及工业级稳定性方面表现优异,曾被广泛用于通信基站、工业PLC、医疗设备等高可靠性要求领域。虽然目前已停产,但仍在二手市场和替代方案中保有一定存量和技术参考价值。

应用

M5M4V4265CTP-6S DO 主要应用于需要稳定、中等容量同步内存支持的电子系统中。典型应用包括工业自动化控制设备,如可编程逻辑控制器(PLC)、人机界面(HMI)终端和工业计算机,这些设备通常运行在较宽的环境条件下,要求内存具备长期稳定性和抗干扰能力。此外,该芯片也常见于网络通信设备中,例如路由器、交换机和DSL调制解调器,用于缓存数据包和运行嵌入式操作系统。
  在消费类电子产品中,该型号曾用于早期的数字电视、机顶盒、打印机和多功能办公设备中,作为主处理器的外部扩展内存。由于其16位数据总线宽度和256Mb容量适中,非常适合成本敏感且不需要大内存带宽的应用场景。
  另外,在一些专业音频视频设备和测试测量仪器中,M5M4V4265CTP-6S 被用作帧缓冲或临时数据存储单元,支持高速连续读写操作。尽管当前主流设计已转向DDR SDRAM或LPDDR系列,但在设备维修、备件替换和旧系统维护中,该芯片仍然具有不可替代的作用,尤其在无法更改PCB布局的老设备升级中,成为首选兼容型号。

替代型号

IS42S16160D-6BLI
  HY57V161610ETP-6
  MT48LC16M16A2P-6A

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