型号：M5M4C264L
　　制造商：Fujitsu
　　存储容量：256K × 4位（1Mbit）
　　组织结构：262,144 × 4
　　工作电压：4.5V 至 5.5V
　　访问时间：10ns / 12ns / 15ns 可选（根据具体后缀版本）
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　封装类型：44-pin SOJ 或 TSOP Type I
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　工作模式：异步静态RAM
　　功耗类型：低功耗CMOS
　　最大读取电流：典型值35mA（取决于访问频率）
　　待机电流：≤ 5μA（CMOS低功耗模式）
　　写入方式：半字节写入支持（通过LB#和UB#控制信号）
　　片选信号：CE#（Chip Enable），支持深度掉电模式
　　输出使能：OE#（Output Enable），控制输出驱动状态

M5M4C264L具备多项关键特性，使其在异步SRAM市场中占据重要地位。首先，该芯片采用了高性能CMOS技术，实现了高速访问与低功耗之间的良好平衡。其最快版本的访问时间可达10纳秒，意味着在一个时钟周期内即可完成一次完整的读取操作，这对于实时性要求较高的系统如网络交换机、打印机引擎控制和测试测量设备至关重要。同时，由于其全静态设计，无需像DRAM那样进行周期性刷新，从而降低了系统复杂度，并减少了因刷新导致的延迟问题。
　　其次，M5M4C264L支持双字节写入控制功能，通过独立的低位字节使能（LB#）和高位字节使能（UB#）信号，允许系统仅对特定的数据位进行写入操作，提升了数据处理的灵活性和效率。这一特性特别适用于数据总线宽度不完全匹配的应用场景，例如当主控器为8位而SRAM为4位组织时，可通过分时操作实现高效的数据传输。
　　再者，该器件具备出色的环境适应能力，能够在0°C至+70°C的商业级温度范围内稳定运行，满足大多数室内工业设备的工作需求。其TTL电平兼容性使得它可以无缝对接多种传统微控制器、DSP处理器和ASIC逻辑电路，无需额外的电平转换电路，进一步简化了硬件设计。
　　此外，M5M4C264L集成了低功耗待机模式。当片选信号CE#为高电平时，芯片进入待机状态，此时电源电流显著降低至微安级别，有助于延长便携式设备或间歇工作系统的电池寿命。这种智能功耗管理机制在保障性能的同时兼顾了能效优化。
　　最后，该芯片采用标准化封装，引脚排列符合行业通用规范，方便替换和PCB布线。虽然目前富士通已不再大力推广此型号，但其长期稳定的供货记录和成熟的可靠性验证使其成为许多老旧设备维护和备件更换的重要选择。

M5M4C264L的应用领域主要集中在需要高速、可靠、非易失性缓存之外的临时数据存储场合。一个典型的应用是在通信基础设施设备中，例如早期的DSL调制解调器、路由器和交换机中用作帧缓冲区或查找表存储。由于这些设备要求对数据包进行快速读写处理，M5M4C264L的10ns级访问速度可以有效支持高速数据流的暂存与转发操作。
　　在工业自动化控制系统中，该芯片常被用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备以及运动控制卡中，作为CPU与外设之间数据交换的中间缓存。其异步接口特性使其能够灵活匹配不同主控芯片的总线时序，而无需复杂的同步协议配置。
　　另外，在办公自动化设备如激光打印机、复印机和多功能一体机中，M5M4C264L也扮演着重要角色。它可用于存储打印页面的点阵图像数据或字体缓存，确保打印引擎能够以高吞吐率连续输出文档内容。
　　测试与测量仪器，如数字示波器、逻辑分析仪和频谱仪，同样依赖此类高速SRAM来捕获和临时存储采样数据。M5M4C264L的稳定性和快速响应能力保证了数据采集过程的准确性和完整性。
　　此外，在医疗电子设备、POS终端和嵌入式显示模块中也有应用实例。尽管当前主流设计已转向更低电压、更高密度的新型SRAM或PSRAM，但在现有系统的升级维护、备件替换以及小批量生产中，M5M4C264L仍具有一定的实用价值。

CY7C1266KV18
　　IS61WV25616BLL-10MLI
　　AS6C25616-55PCN2