制造商：Mitsubishi
　　类型：CMOS DRAM
　　容量：4 Mbit (1M × 4)
　　工作电压：4.5V 至 5.5V
　　存取时间：70ns
　　封装类型：50-pin SOJ
　　温度范围：商业级（0°C 至 +70°C）
　　组织结构：1M x 4
　　数据总线宽度：4位
　　刷新周期：8ms 或 64ms（根据具体模式）
　　供电电流：典型值 30mA（运行模式），待机电流小于 5mA
　　地址引脚：A0-A9（复用行/列地址）
　　控制信号：RAS, CAS, WE, OE
　　输出驱动能力：TTL 兼容

M5M44800CJ-7S作为一款经典的CMOS动态随机存取存储器，具备多项针对当时系统设计需求优化的技术特性。
　　首先，其70ns的快速存取时间使其在同类异步DRAM中处于较高性能水平，能够满足早期图形控制器、打印机缓冲器以及工控机主存模块对响应速度的要求。该芯片采用多路复用地址结构，通过A0-A9共10位地址线分时传输行地址和列地址，有效减少了引脚数量，降低了PCB布局复杂度和成本，同时保持了1M存储单元的寻址能力。内部刷新机制支持多种刷新模式，包括分布式刷新和集中式刷新，用户可通过外部控制器配置刷新频率，以平衡功耗与数据保持可靠性。该器件具备低功耗待机模式，在片选无效或进入空闲状态时自动降低内部电路功耗，延长系统整体能效表现。
　　其次，M5M44800CJ-7S具有良好的噪声抑制能力和稳定性。其CMOS工艺结合内部稳压设计，提升了抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中可靠运行。输出缓冲器支持三态控制，允许多片DRAM并联构成更宽的数据总线（如16位或32位系统），并通过片选信号独立寻址，增强了系统扩展性。此外，该芯片支持全静态操作，无需最小时钟频率限制，只要电源稳定即可维持数据，适合间歇性工作的嵌入式系统。
　　最后，M5M44800CJ-7S的设计充分考虑了制造和测试的便利性。其50引脚SOJ封装符合行业标准，支持自动化贴片和回流焊工艺，提高了生产良率。器件内部集成了故障自诊断辅助功能，便于在烧录和调试阶段检测坏块。虽然该芯片现已停产，但由于其稳定的电气特性和广泛的旧设备应用基础，仍在维修市场和收藏领域具有一定生命力。

M5M44800CJ-7S主要应用于20世纪90年代中期的各类电子系统中，尤其常见于需要中等容量、中高速度存储器的场合。
　　在个人计算机领域，该芯片曾被用于386、486及早期Pentium主板上的显存或扩展内存模块，特别是在ISA或VL-Bus图形适配卡中作为帧缓冲存储器，支持VGA、SVGA等显示标准。由于其4位数据宽度，通常四片或八片并联使用以构成16位或32位总线宽度，满足图像数据批量读写的带宽需求。
　　在工业控制方面，M5M44800CJ-7S被集成于PLC控制器、HMI人机界面设备和数据采集系统中，用于暂存实时传感器数据、程序变量或通信缓冲区。其异步接口特性使得与8位或16位微控制器（如80C186、MC68302等）的连接更为简便，无需复杂的时钟同步电路。
　　此外，该芯片也广泛用于办公设备，如激光打印机、多功能一体机中，作为页面渲染缓存或网络协议处理中间存储。在通信设备中，如路由器、交换机的早期版本，M5M44800CJ-7S可用于存储转发队列或ARP表项。
　　目前，尽管已不再用于新设计，但在设备维修、备件替换、博物馆级计算机修复以及复古游戏机改造项目中，M5M44800CJ-7S仍有实际应用价值。一些爱好者也会将其用于自制计算机项目，以还原经典计算架构的原始风貌。

IS42S1ML4-70
　　CY7C1041GN30-70JC
　　UPD424800CJ-70