M5M44400AJ 时间：2025/9/28 18:22:54 阅读：6

M5M44400AJ是一款由三菱（Mitsubishi）公司生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于早期的快速页面模式（Fast Page Mode, FPM）DRAM产品系列。该芯片广泛应用于20世纪80年代末至90年代中期的计算机系统、工业控制设备以及通信设备中。M5M44400AJ的存储容量为1兆位（1Mbit），组织结构为1024行×1024列×1位，即以4组1位宽的数据总线方式构成常见的4×1或可扩展为16×1配置，通常用于构建主内存模块如SIMM（单边接触内存模块）。这款芯片采用标准的32引脚DIP（双列直插式封装）或SOJ（小外形J形引脚封装），工作电压为5V±5%，符合当时TTL电平接口标准，具有较高的兼容性和稳定性。
　　作为一款异步DRAM器件，M5M44400AJ不依赖于系统时钟同步信号，而是通过地址选通（RAS）和列地址选通（CAS）两个控制信号来完成地址分时复用和数据读写操作。其典型访问时间有80ns、100ns等速度等级，适用于对成本敏感且性能要求适中的嵌入式系统和老式PC架构。由于制造工艺的进步和市场需求的变化，该型号目前已停产多年，但在一些老旧设备维修、复古计算项目或特定工业备件替换场景中仍有一定需求。

参数

型号：M5M44400AJ
　　制造商：Mitsubishi（三菱）
　　存储容量：1 Mbit (1024k × 1 bit)
　　组织结构：1024 rows × 1024 columns × 1 bit
　　封装形式：32-pin DIP 或 SOJ
　　电源电压：5V ±5%
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　最大静态电流：30mA（典型值）
　　访问时间：80ns / 100ns 可选
　　刷新周期：通常为15.6μs（需外部控制器支持）
　　数据宽度：1位
　　控制信号：RAS（Row Address Strobe）、CAS（Column Address Strobe）、WE（Write Enable）、OE（Output Enable，部分版本）
　　地址复用方式：行/列地址分时输入（A0-A9）
　　封装尺寸：根据具体封装类型而定（DIP/SOJ标准尺寸）

特性

M5M44400AJ具备典型的FPM DRAM操作特性，支持快速页面模式访问，允许在保持行地址不变的情况下连续访问同一行内的多个列地址，从而显著提高数据读取效率。这种机制特别适合顺序数据访问的应用场景，例如视频显示缓冲或内存块传输。其内部包含一个感测放大器阵列，在RAS有效后将整行数据加载到感测放大器中，随后通过CAS信号选择不同的列进行快速读出或写入，实现“页面”式的高效访问。
　　该芯片设计遵循JEDEC标准规范，具有良好的互换性和系统集成能力。它支持标准的异步时序控制，无需精确匹配系统时钟，因此在多种非同步总线架构中均可稳定运行。此外，M5M44400AJ具备低功耗待机模式，在空闲状态下自动进入预充电状态以减少电流消耗，并可通过外部逻辑控制实现自刷新或强制刷新操作，确保存储数据的完整性。
　　器件的输入/输出电平兼容TTL标准，可直接与当时的微处理器（如Intel 80386、80486、Motorola 680x0系列）连接，无需额外的电平转换电路。其地址与数据引脚复用设计减少了引脚数量，降低了封装成本，同时提高了板级布局的灵活性。虽然现代SDRAM或DDR技术已在速度和密度上远超此类早期DRAM，但M5M44400AJ因其简单可靠的设计原理，在教学演示、硬件修复和历史设备维护领域仍具参考价值。

应用

M5M44400AJ主要用于上世纪80年代末到90年代中期的各类计算机系统中，特别是在早期的个人电脑（PC AT兼容机）、工作站和工业控制计算机中作为主内存组件使用。它常被集成在30针SIMM内存条上，每条由多个M5M44400AJ芯片并联组成，提供8位或9位（含奇偶校验）数据宽度，满足当时x86处理器系统的内存需求。
　　此外，该芯片也广泛应用于各种嵌入式系统设备中，包括打印机控制器、数控机床（CNC）、通信基站模块、网络交换设备以及测试测量仪器等需要稳定可靠存储解决方案的场合。由于其异步接口特性，非常适合与无片内内存控制器的老式MCU或MPU配合使用。
　　在现代应用场景中，M5M44400AJ主要用于老旧设备的维修与替换，尤其是在无法获取原厂模块的情况下，技术人员会单独采购该型号芯片进行手工焊接修复。同时，它也被用于电子工程教育实验中，帮助学生理解DRAM基本工作原理、地址复用机制及FPM访问时序等核心概念。此外，在复古计算爱好者社区中，该芯片是复刻经典机型（如Amiga、Apple II系列扩展卡）的重要元件之一。