型号：M5M44260CJ
　　制造商：Mitsubishi Electric
　　存储容量：1 Mbit (256K x 4)
　　工作电压：5V ± 10%
　　访问时间（典型值）：120 ns / 150 ns（根据版本不同）
　　封装类型：400 mil 22-pin SOJ（Small Outline J-leaded Package）
　　组织结构：256K x 4 bits
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　刷新周期：8 ms（最大），支持CAS先于RAS（RAS-before-CAS）刷新模式
　　输入/输出逻辑电平：TTL兼容
　　最大功耗：典型运行条件下约300 mW
　　地址引脚数量：A0–A8共9根（用于分时复用行列地址）
　　数据引脚：DQ1–DQ4（4位数据输出/输入）
　　控制信号：RAS（低有效）、CAS（低有效）、WE（低有效）、OE（输出使能，部分版本支持）

M5M44260CJ 采用先进的CMOS工艺制造，具备低功耗与高噪声免疫能力的优势，在同类DRAM产品中表现出良好的稳定性与可靠性。其异步控制架构允许灵活地集成到各种非同步总线系统中，无需精确匹配主控时钟频率，从而简化了系统设计复杂度。该芯片支持标准的动态刷新机制，确保在长时间运行过程中数据不丢失；它采用RAS-only刷新或CAS-before-RAS刷新协议，能够与大多数内存控制器无缝对接。此外，M5M44260CJ 提供了较快的访问速度（典型访问时间为120ns或150ns），适用于对响应时间有一定要求的实时处理系统。其22引脚SOJ封装具有较小的占板面积，适合紧凑型PCB布局，并支持表面贴装工艺，提升了自动化生产的可行性。该器件的数据保持模式下电流消耗极低，有助于降低待机功耗。所有输入端均内置施密特触发器，增强了抗干扰能力，特别适用于工业环境中的电磁干扰较强的应用场合。M5M44260CJ 还具备写保护功能，当WE信号有效时可防止误写入数据，提高了系统的安全性与数据完整性。由于其引脚定义和时序符合JEDEC标准，因此可以方便地进行多片并联扩展，构建更大位宽的存储系统（例如将四片组合成256K x 16位结构）。虽然该芯片不具备自刷新功能，但其成熟的外围电路设计资料丰富，易于实现外部定时器或CPU控制下的自动刷新逻辑。
　　值得注意的是，M5M44260CJ 属于已停产的元器件，目前主要通过二手市场或库存渠道获取，因此在实际应用中需注意批次老化、电气参数漂移等问题。对于需要长期供货保障的新设计项目，建议考虑现代替代方案或使用专用的DRAM仿真模块进行升级替换。然而，在维修老式工控机、传真机、打印机或嵌入式终端设备时，M5M44260CJ 仍然是关键的替换元件之一，许多技术服务手册仍保留其详细时序图与测试方法。

M5M44260CJ 主要应用于上世纪八九十年代的各类电子系统中，尤其常见于需要中等容量高速缓存的工业控制设备，如PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床（CNC）和自动化仪表等。在通信领域，该芯片曾被广泛用于电话交换机、调制解调器和传真机中，作为临时数据缓冲区存储来电信息、传真图像或协议帧数据。在早期个人计算机和工作站中，M5M44260CJ 常用于扩展内存模块或视频显示缓存，尤其是在一些专有架构的小型机或终端设备中。此外，它也被集成在多种嵌入式系统中，例如医疗设备、测试仪器和POS终端，用于暂存采集数据或程序运行中间变量。由于其TTL电平兼容性和较强的驱动能力，该芯片还能直接连接微处理器总线而无需额外电平转换电路，进一步降低了系统成本。在军事和航空航天领域的部分遗留系统中，M5M44260CJ 或其工业级版本也曾被采用，因其经过长期验证的可靠性和环境适应性。当前，虽然新型系统已不再使用此类DRAM，但在设备维护、备件更换和复古计算爱好者项目中，M5M44260CJ 依然发挥着重要作用。例如，在修复经典游戏机、老式示波器或复刻 vintage 计算机时，工程师常常需要寻找原型号或功能兼容的替代品以保证原始性能。此外，一些教育机构也利用这类经典DRAM芯片进行计算机组成原理教学，帮助学生理解地址复用、动态刷新、行列解码等核心概念。