型号：M5M44260CJ-7
　　制造商：Fujitsu
　　存储类型：DRAM
　　组织结构：4M x 4 bits
　　总容量：16 Mbit (2 MB)
　　工作电压：5V ± 0.5V
　　访问时间：70ns（典型值）
　　封装形式：40-pin SOJ（Small Outline J-leaded Package）
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　刷新周期：通常为8ms或16ms（具体取决于行数）
　　数据宽度：4位
　　引脚间距：1.27mm
　　是否含铅：视生产批次而定（部分为无铅版本）
　　时序模式：Fast Page Mode (FPM DRAM)

M5M44260CJ-7作为一款典型的FPM DRAM器件，具备良好的异步访问能力和较高的数据吞吐效率，在其时代背景下表现出优异的系统兼容性和稳定性。其核心特性之一是支持快速页模式访问，即在一个行地址被激活后，可以在不重新发送行地址的情况下连续访问多个列地址，从而显著减少地址建立时间，提升连续读写操作的速度。这种机制特别适合于处理器进行块数据传输、缓存填充或图形显示刷新等应用场景。
　　该芯片内部采用标准的动态存储单元阵列结构，每个存储单元由一个晶体管和一个电容组成，因此需要定期刷新以维持数据完整性。M5M44260CJ-7支持多种刷新方式，包括集中式刷新、分散式刷新和自刷新（若支持），确保在不同系统运行状态下都能保持数据不丢失。此外，其输入输出缓冲电路经过优化设计，能够在5V TTL/CMOS电平下可靠工作，与当时的CPU和北桥芯片组实现良好匹配。
　　在可靠性方面，M5M44260CJ-7采用了成熟的制造工艺和严格的质量控制流程，具备较强的抗干扰能力和环境适应性。其封装形式为40引脚SOJ，具有较小的占地面积和良好的散热性能，适用于高密度PCB布局。同时，该器件支持常见的CAS先于RAS（CAS Before RAS, CBR）刷新检测机制，允许系统控制器自动管理DRAM刷新过程，减轻了主控芯片的负担。
　　值得注意的是，虽然M5M44260CJ-7的访问速度相对于现代内存较慢（70ns访问时间），但在其设计时期属于高性能产品，能够满足当时大多数计算任务的需求。此外，由于其标准化的引脚定义和时序规范，该芯片在多厂商之间具有一定的互换性，便于系统集成和后期维护。

M5M44260CJ-7主要应用于20世纪90年代中期的各类计算机系统中，尤其是基于Intel 80386、80486以及初代Pentium处理器的台式机和笔记本电脑。它常被用作主板上的主内存颗粒，集成在72针SIMM内存条上，每条通常由多个M5M44260CJ-7芯片并联构成32位或更宽的数据总线，以满足处理器对内存带宽的要求。例如，一条32位SIMM内存条可能需要8片M5M44260CJ-7来提供32位数据宽度（每片提供4位），从而组成2MB或4MB的内存模块。
　　除了个人计算机领域，该芯片也被广泛用于工业控制设备、嵌入式系统、网络路由器、电话交换机、医疗仪器以及测试测量设备中。这些应用通常对系统的长期稳定性和元器件的可获得性有较高要求，而M5M44260CJ-7因其成熟的技术和较长的供货周期成为理想选择。
　　在一些需要兼容老旧硬件架构的升级或维修项目中，M5M44260CJ-7仍然具有实际应用价值。例如，在维护银行ATM机、工厂自动化控制系统或航空电子设备时，若原装内存芯片损坏，M5M44260CJ-7或其兼容型号可作为直接替换件使用。此外，复古计算爱好者在复刻经典计算机系统（如IBM PC/AT兼容机）时，也会寻找此类原始DRAM芯片以保证系统的 authenticity 和功能完整性。
　　随着技术进步，虽然FPM DRAM已被EDO DRAM、SDRAM及其后续技术所取代，但在特定行业和特殊用途中，M5M44260CJ-7仍保有一定的市场存在感，特别是在那些对成本敏感且无需高速内存访问的低功耗或固定功能设备中。