型号：M5M44256BL-10
　　制造商：Fujitsu
　　存储类型：DRAM
　　存储结构：4M x 4 位
　　总容量：16 Mbit (2 MB)
　　工作电压：5V ± 0.5V
　　访问时间：100ns
　　封装类型：50-pin SOJ
　　温度范围：商业级（0°C 至 +70°C）
　　刷新周期：8ms 或 64ms（根据具体配置）
　　数据宽度：4位
　　接口类型：并行异步接口
　　刷新模式：CAS Before RAS (CBR) 或 自刷新
　　地址复用：支持 A0-A11 地址线复用输入

M5M44256BL-10 具备典型的快页模式DRAM特性，能够在连续访问同一行地址内的多个列地址时显著提升数据读写效率。这种快页模式通过在CAS（列地址选通）信号有效期间保持RAS（行地址选通）信号低电平，从而允许快速切换列地址而无需重新激活行地址，极大提高了突发数据访问的速度。该芯片内部集成了地址多路复用器，仅需12条地址线即可完成对4M存储单元的寻址，减少了引脚数量和PCB布线复杂度。其100ns的存取时间在当时属于较高性能水平，适用于需要中等速度内存响应的应用场景。此外，M5M44256BL-10 支持多种刷新模式，包括由外部控制器管理的RAS-only刷新和更高效的CAS before RAS（CBR）刷新方式，后者可由内存控制器自动执行，减轻了系统CPU的负担。芯片还具备低功耗待机模式，在不进行数据访问时可通过进入空闲状态减少电流消耗，适合对功耗有一定要求的系统设计。
　　该器件采用CMOS工艺制造，确保了良好的噪声抗扰性和较低的静态功耗。其输出驱动能力兼容TTL电平，可直接与当时的微处理器、ASIC或FPGA无缝对接，无需额外的电平转换电路。50引脚SOJ封装不仅节省空间，而且具有良好的散热性能和焊接可靠性，适合自动化贴片生产。M5M44256BL-10 还内置了片内刷新计数器选项（部分版本支持），进一步简化了外部控制逻辑的设计。虽然该芯片不具备现代同步DRAM的时钟同步机制，但其异步控制协议清晰明确，易于通过分立逻辑或专用内存控制器实现时序控制。由于其成熟的制造工艺和长期的市场应用验证，该芯片在可靠性方面表现出色，尤其适合用于工业环境下的稳定运行。然而，由于其非易失性缺失，系统必须配备持续供电或后备电源以防止数据丢失。

M5M44256BL-10 主要应用于20世纪90年代中期至末期的各种电子系统中，典型用途包括早期的个人计算机主板内存模块（如SIMM条）、图形加速卡缓存、打印机缓冲存储器、工业自动化控制器中的临时数据存储以及通信设备的数据帧缓冲区。由于其4位数据宽度，常以并联方式（例如四片或八片组合）构成16位或32位总线系统，满足不同处理器架构的需求。在嵌入式系统中，该芯片可用于需要较大容量临时存储但成本敏感的应用场景，如医疗仪器、测试测量设备和POS终端。此外，它也被用于一些老式游戏机和多媒体设备中作为视频内存或音频缓冲。尽管目前已被更高速、更高密度的内存技术替代，但在设备维修、备件替换和历史硬件复原项目中仍有实际应用。例如，当维护一台使用SIMM内存的老式工作站或服务器时，M5M44256BL-10 可能是关键的替换元件。同时，对于研究计算机体系结构发展史或进行复古计算（retro computing）的爱好者而言，该芯片也是重要的学习对象。由于其引脚定义和时序规范已完全公开，工程师可以基于其数据手册设计兼容的替代方案或仿真模块。

IS42S16100D-10L
　　CY7C1361AV-15AC
　　MT4C4M4E1-10