容量：4 Mbit
　　组织结构：256K x 16
　　工作电压：4.5V ~ 5.5V
　　访问时间：100 ns
　　封装类型：54-pin TSOP
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　刷新周期：8 ms
　　刷新模式：自动刷新 / 自刷新
　　输入/输出逻辑电平：TTL/CMOS 兼容
　　数据宽度：16位
　　存储器类型：EDO DRAM
　　电源电流：典型值 80 mA（运行模式）
　　待机电流：典型值 35 mA

M5M44256AL-10具备Extended Data Out（EDO）技术，这一特性显著提升了数据传输效率。EDO模式允许在下一个地址周期开始后仍然保持前一次读取的数据有效，从而避免了传统DRAM中常见的等待周期，实现了更快的连续读取速度。这种“重叠输出”机制特别适用于需要频繁访问内存的应用场景，如图像处理缓冲区或实时数据流处理系统。
　　该芯片采用CMOS制造工艺，确保了低功耗运行的同时维持高性能表现。其静态功耗较低，在待机或空闲状态下能有效减少系统整体能耗，适用于对功耗敏感的工业设备。此外，内部电路设计优化了噪声抑制能力，增强了信号完整性，提高了抗干扰性能。
　　器件支持两种刷新模式：自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）。自动刷新由外部控制器发出指令完成，而自刷新则可在系统进入低功耗模式时由芯片自身管理刷新过程，无需外部干预，这对于需要长时间维持数据但又要求节能的嵌入式应用尤为重要。
　　M5M44256AL-10还具备地址多路复用功能，通过行地址和列地址分时输入的方式减少了引脚数量，有助于简化PCB布线并节省空间。内置的片上定时控制逻辑可精确管理预充电、激活、读写和刷新操作，保证了运行的稳定性和一致性。
　　该DRAM芯片符合工业级环境要求，能在0°C至+70°C的宽温范围内稳定工作，适用于各种严苛的应用环境。同时，其54引脚TSOP封装不仅体积小巧，而且具有良好的散热性能和焊接可靠性，适合自动化贴片生产流程。

M5M44256AL-10主要应用于需要中等容量、高速访问且成本可控的嵌入式系统中。常见用途包括老式办公设备如激光打印机、多功能一体机和数字复印机中的页面缓冲存储；在通信领域，曾用于早期的路由器、交换机和调制解调器中作为数据包缓存或协议处理缓冲区。
　　该芯片也广泛出现在工业自动化设备中，例如PLC控制器、人机界面（HMI）终端和数控机床（CNC）系统中，用于临时存储程序代码、运行变量或图形界面数据。由于其16位数据总线宽度，非常适合与16位微处理器或DSP协同工作，例如Intel 80C186、Motorola 68000系列等架构的系统。
　　在消费电子方面，M5M44256AL-10曾用于早期的多媒体播放器、视频监控前端设备和游戏机附属模块中，承担图像帧缓冲或音频数据暂存任务。此外，在测试测量仪器如示波器、频谱分析仪中，该芯片可用于采集数据的中间存储，支持快速响应和连续采集功能。
　　尽管目前新型设计更多采用同步DRAM或SRAM方案，但M5M44256AL-10仍在设备维修、备件替换和 legacy system 升级中发挥重要作用。尤其对于无法升级主控平台的老化设备，该芯片是维持系统正常运行的关键组件。

IS42S25616-10L
　　CY7C1399-10VCT