型号：M5M44256AJ-7
　　制造商：Fujitsu
　　存储容量：4 Mbit (512K × 8)
　　存储类型：DRAM
　　组织结构：512K × 8
　　工作电压：5V ± 5%
　　访问时间：70 ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　封装类型：30-pin SIMM 或 Ceramic DIP
　　接口类型：并行
　　刷新周期：典型值为15.6 μs
　　数据宽度：8位
　　时钟频率：异步操作（无内部时钟）
　　最大功耗：典型值为300 mW
　　输入/输出电平：TTL 兼容

M5M44256AJ-7的最显著特性之一是其采用快速页面模式（Fast Page Mode, FPM）技术，这种访问机制允许在同一个行地址被激活后，连续访问该行内的多个列地址而无需重新进行行选通，从而显著提高了连续数据读写的效率。相比传统的EDO DRAM之前的普通DRAM，FPM DRAM通过减少地址锁存和行激活的重复开销，实现了更高的突发传输速率，特别适合用于图形显示缓冲、内存密集型计算任务以及早期个人计算机的主存系统。
　　该芯片支持标准的异步DRAM控制信号，包括行地址选通（RAS）、列地址选通（CAS）、写使能（WE）和输出使能（OE），这些信号可以与多种微处理器直接对接，实现灵活的系统设计。此外，M5M44256AJ-7具备自动刷新和自刷新功能，能够在保持数据完整性的同时降低系统维护复杂度。其70ns的存取时间在当时属于高性能级别，确保了系统的响应速度和运行流畅性。
　　从物理结构上看，该芯片采用了高可靠性的陶瓷封装（J后缀），具有良好的热稳定性、抗湿性和机械强度，适用于工业环境下的长期运行。同时，陶瓷封装还提供了较好的电磁屏蔽性能，有助于减少信号干扰，提高系统整体稳定性。尽管其功耗相对于现代低电压存储器较高，但在5V供电环境下仍表现出合理的能效比。
　　M5M44256AJ-7的设计充分考虑了兼容性和可替换性，符合JEDEC标准的引脚排列规范，因此可以在相同规格的内存插槽中与其他厂商的同类产品互换使用。这一特性使其成为当时主板制造商和系统集成商的优选方案之一。此外，其内置的地址多路复用机制减少了引脚数量，优化了PCB布线难度，在空间受限的应用中尤为有利。

M5M44256AJ-7主要应用于20世纪90年代初期至中期的各类计算机系统中，尤其是基于Intel 80386、80486以及早期Pentium处理器的台式机和工作站，作为主存储器模块的核心组件。它也常用于一些嵌入式控制系统、工业自动化设备、医疗仪器和通信基站中，承担临时数据存储和程序缓存的功能。由于其稳定的性能和较长的使用寿命，该芯片在电信交换设备、网络路由器和打印机控制器中也有广泛应用。
　　在图形处理领域，M5M44256AJ-7曾被用作视频内存（VRAM）的替代方案，在不具备专用显存的系统中提供帧缓冲支持。其快速页面模式特性非常适合逐行扫描图像数据的连续读取，能够有效支持CGA、EGA和VGA显示标准下的图形渲染需求。此外，在测试测量仪器如示波器、逻辑分析仪中，该芯片用于存储采样数据和中间运算结果，保障实时处理能力。
　　由于其异步接口特性和TTL电平兼容性，M5M44256AJ-7也被广泛应用于教学实验平台和电子开发套件中，作为学习存储器原理和总线时序的理想器件。即使在当前，一些维护老旧设备的技术人员仍在寻找该型号的替代品或库存件，以维持关键系统的正常运行。因此，虽然已不再用于新设计，但其历史价值和技术代表性仍不可忽视。

IS42S256A-70BL