M5M27C101K-15 时间：2025/9/29 18:42:36 阅读：30

M5M27C101K-15是一款由富士通（Fujitsu）推出的高性能、低功耗的1兆位（128K x 8）CMOS紫外线可擦除可编程只读存储器（UV-EPROM）。该器件广泛应用于需要非易失性程序存储的嵌入式系统和工业控制设备中。其主要特点包括高可靠性、稳定的读取性能以及对环境条件的良好适应性。该芯片采用标准的JEDEC封装形式，兼容工业界常见的EPROM编程器与测试设备，方便用户进行烧录、调试和批量生产。M5M27C101K-15中的“-15”表示其最大访问时间不超过150纳秒，适用于中高速系统总线应用场合。此外，该器件工作电压为单一+5V电源，兼容TTL电平接口，能够无缝接入多种微控制器和微处理器系统。芯片顶部设有石英窗口，允许在紫外线照射下擦除数据，从而实现多次重复编程，适合研发阶段频繁修改固件的应用场景。

参数

制造商：Fujitsu
　　系列：M5M27C101K
　　存储容量：1 Mbit
　　存储结构：128K x 8
　　存储类型：EPROM
　　供电电压：4.5V ~ 5.5V
　　访问时间：150 ns
　　工作温度范围：0°C ~ +70°C
　　封装类型：DIP32、PLCC32
　　编程电压：VPP = 12.5V ± 0.5V
　　输入逻辑电平：TTL 兼容
　　封装形式：带窗口陶瓷封装（CERDIP）或塑料封装（PLCC）
　　擦除方式：紫外线擦除（典型曝光时间：20~30分钟，波长253.7nm）

特性

M5M27C101K-15具备出色的电气性能和稳定性，其核心特性之一是采用先进的CMOS工艺制造，显著降低了静态功耗，待机电流通常低于100μA，有效延长了系统的能效表现，特别适合长期运行且对功耗敏感的应用环境。
　　该器件支持标准的+5V单电源供电，在正常读取操作时无需额外的编程电压（VPP），仅在编程写入过程中才需施加12.5V的高压信号，简化了系统电源设计。其150ns的快速存取时间使其能够匹配大多数8位和16位微处理器的总线时序要求，如Intel 8086、80C186或Motorola 68000系列，确保指令和数据的高效读取。
　　为了提升数据保持能力，M5M27C101K-15内部结构经过优化，保证在正常存储条件下数据保存时间可达10年以上。同时，芯片内置噪声抑制电路和输出驱动保护机制，增强了抗干扰能力和驱动负载的稳定性。
　　该器件还具备良好的耐久性，支持至少100次以上的编程/擦除周期，满足研发调试过程中的反复修改需求。其封装设计符合工业级标准，带有透明石英窗口便于紫外线擦除，同时也提供无窗版本（One-Time Programmable, OTP）供批量生产选择，兼顾灵活性与成本控制。
　　此外，M5M27C101K-15通过了多项国际质量认证，具有较强的抗静电（ESD）能力和高温储存性能，适用于工业自动化、通信设备、医疗仪器和消费类电子产品等多种严苛应用场景。

应用

M5M27C101K-15常用于需要固件存储但尚未定型的开发阶段系统中，尤其适用于工业控制系统、数控设备、测量仪器和老式通信模块等场景。由于其紫外线可擦除特性，非常适合工程师在原型验证过程中反复更新程序代码。
　　在嵌入式系统中，该芯片可用于存储启动引导程序（Bootloader）、设备初始化代码或固定算法表（如PID参数、校准数据等），为微控制器提供可靠的非易失性程序支持。在一些不支持Flash存储器的老式主板或工控机中，M5M27C101K-15也作为BIOS或配置信息的存储介质使用。
　　此外，该器件在教学实验平台和电子爱好者项目中也有广泛应用，因其易于编程、直观可视（可通过窗口观察芯片内部）且资料丰富，成为学习EPROM技术和存储器原理的理想元件。
　　在汽车电子维修领域，部分早期ECU（电子控制单元）使用此类EPROM存储发动机控制逻辑，技术人员可通过更换或重新烧录M5M27C101K-15来实现故障修复或性能调校。
　　尽管当前主流设计已转向EEPROM和Flash存储器，但由于其高可靠性和长期供货历史，M5M27C101K-15仍在一些维护现有设备或替代老旧元器件的场合中发挥重要作用。