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M5M27C100K-15 发布时间 时间:2025/9/28 17:39:42 查看 阅读:4

M5M27C100K-15是一款由三菱电机(Mitsubishi Electric)生产的1兆位(128K × 8位)的高性能CMOS紫外线可擦除可编程只读存储器(UV-EPROM)。该器件设计用于需要非易失性程序存储的应用场景,典型应用于工业控制、通信设备、嵌入式系统以及老式计算机系统中。作为一款经典的并行接口EPROM,M5M27C100K-15支持标准的+5V供电电压,并具备良好的数据保持能力和抗干扰性能。其型号中的‘-15’表示该芯片的访问时间最大为150纳秒,适用于中高速系统总线环境。该芯片采用JEDEC标准的40引脚DIP(双列直插封装)或PLCC(塑料四边引线扁平封装),方便在多种开发和生产环境中使用。此外,该器件可通过紫外线照射芯片顶部的石英窗口进行批量擦除,之后可重新编程,适合研发阶段反复调试固件的场合。由于其CMOS工艺制造,功耗较低,在待机模式下电流消耗可低至数微安级别,有助于降低系统整体能耗。尽管当前许多现代系统已转向使用Flash存储器,但M5M27C100K-15仍因其高可靠性、宽工作温度范围及长期供货历史而在一些工业和军事领域中继续使用。

参数

制造商:Mitsubishi Electric
  产品系列:M5M27C
  存储容量:1 Mbit
  存储器类型:EPROM
  组织结构:128K × 8
  供电电压:+4.5V 至 +5.5V
  访问时间:150 ns
  工作温度范围:0°C 至 +70°C(商业级)
  封装类型:40-Pin DIP 或 40-Pin PLCC
  编程电压:+12.5V ± 0.5V
  待机电流:≤ 100 μA
  工作电流:≤ 50 mA
  接口类型:并行
  擦除方式:紫外线擦除(约15~20分钟,波长253.7nm)

特性

M5M27C100K-15采用了先进的CMOS技术,使其在保持高性能的同时实现了极低的功耗表现。在正常读取操作中,其工作电流通常不超过50mA,而在待机或静态模式下,电流消耗可降至100μA以下,显著优于早期的NMOS工艺EPROM器件。这种低功耗特性使其非常适合于对电源效率要求较高的嵌入式系统或便携式设备中使用。
  该芯片具备150ns的快速访问时间,能够在时钟频率高达6MHz左右的系统总线上稳定运行,满足大多数8位和16位微处理器系统的性能需求。其输出驱动能力符合TTL电平兼容标准,可直接与常见的微控制器、地址锁存器和总线缓冲器接口连接,无需额外的电平转换电路,简化了系统设计。
  M5M27C100K-15内置可靠的编程算法支持,可在+12.5V的编程电压下完成字节写入操作,每个存储单元可承受数百次的编程/擦除周期。此外,其数据保存寿命长达10年以上,在正常环境条件下(避光、防潮)能够长期稳定保存固件信息。
  该器件具有良好的抗辐射和抗电磁干扰能力,适用于工业环境下的复杂电磁条件。封装顶部设有透明石英窗口,便于通过紫外线光源进行批量擦除,且封装结构密封性良好,防止灰尘和湿气侵入,确保内部晶圆长期稳定性。同时,该芯片支持全地址和数据线的错误检测与校验机制,在系统调试过程中有助于提高固件烧录的可靠性。

应用

M5M27C100K-15广泛应用于需要可靠非易失性程序存储的各类电子系统中。在工业自动化领域,它常被用于PLC(可编程逻辑控制器)、数控机床(CNC)和工控机中存储启动代码和固件程序。由于其宽温特性和高抗干扰能力,也适用于恶劣环境下的远程监控设备和现场仪表。
  在通信设备中,该芯片可用于存储交换机、路由器或调制解调器的引导程序(Bootloader),确保设备在上电后能正确初始化硬件并加载主操作系统。此外,在一些老旧的网络基础设施设备中,仍可看到该型号的使用痕迹。
  在消费类电子产品和教育实验平台中,M5M27C100K-15曾被广泛用于单板计算机、学习机、电子词典和游戏机主板中,作为主程序存储器。其易于编程和重复擦写的特性,使其成为教学和研发实验室的理想选择。
  此外,该芯片也被用于汽车电子系统的早期设计中,如车载仪表盘控制模块、发动机控制单元(ECU)原型开发等场景。虽然目前已被更先进的闪存技术取代,但在维修和替换旧设备时,M5M27C100K-15仍是关键的备件之一。

替代型号

M27C1001-15
  AM27C1000-15
  MBM27C1000-15
  TMS27C1000-15

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