M5K4164NP-15 时间：2025/12/28 4:28:07 阅读：14

M5K4164NP-15是一款由富士通（Fujitsu）公司生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于早期的1Mb（128K x 8位）DRAM产品。该器件采用标准的异步DRAM架构，广泛应用于20世纪80年代末至90年代中期的计算机系统、工业控制设备、通信设备和嵌入式系统中。M5K4164NP-15中的'15'表示其访问时间为150纳秒，意味着从地址有效到数据输出的延迟为150ns，适用于对速度要求不特别高的中低端系统。该芯片采用20引脚DIP（双列直插式封装）或SOIC封装形式，工作电压通常为5V±10%，符合当时TTL电平兼容的标准，便于与当时的微处理器和控制器直接接口。作为一款经典的DRAM器件，M5K4164NP-15在当时的内存扩展模块、工控主板和老式打印机等设备中被广泛采用。尽管目前已被更高速、更高密度的SDRAM、DDR等新型内存技术所取代，但在一些老旧设备的维护、维修和替代设计中，仍具有一定的参考价值和技术意义。

参数

型号：M5K4164NP-15
　　容量：1Mb
　　组织结构：128K x 8位
　　访问时间：150ns
　　工作电压：5V ±10%
　　封装形式：20引脚 DIP 或 SOIC
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　刷新周期：通常为8ms或16ms
　　数据宽度：8位
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　制造工艺：CMOS
　　最大功耗：典型值约200mW

特性

M5K4164NP-15具备典型的异步DRAM功能特性，采用行列地址复用技术，通过RAS（行地址选通）和CAS（列地址选通）信号分时输入地址，从而减少引脚数量，提高封装效率。该芯片支持标准的读写操作，并需要外部电路或控制器提供定期刷新信号以维持存储数据的完整性，刷新方式可为RAS-only刷新或CAS-before-RAS刷新模式。其150ns的存取速度在当时属于中等性能水平，能够满足8位和16位微处理器系统的内存需求，如Intel 8086、80286或Motorola 68000系列处理器。该器件具有较低的待机功耗和运行功耗，得益于其CMOS制造工艺，适合用于对功耗有一定要求的工业和通信设备。此外，M5K4164NP-15的TTL电平兼容性使其可以直接与多种逻辑电路和微控制器连接，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。该芯片还具备良好的抗干扰能力和稳定性，在工业环境下表现出较强的可靠性。虽然不具备现代同步DRAM的突发传输和预取功能，但其简单的控制时序使得在嵌入式或定制化系统中易于实现和调试。由于其引脚定义和时序规范已被广泛标准化，许多其他厂商也推出了兼容型号，增强了其互换性和供应链弹性。
　　值得注意的是，M5K4164NP-15作为一款已停产多年的元器件，目前主要存在于库存件或二手市场，新设计中已极少使用。然而，在设备维修、逆向工程或历史设备复原项目中，仍可能需要了解其电气特性和时序参数。其数据手册中定义的时序图包括地址建立时间、RAS/CAS延迟、写使能控制等关键参数，对于设计替代方案或仿真模型具有重要参考价值。此外，该芯片的封装形式便于手工焊接和测试，适合实验室环境下的原型验证。总体而言，M5K4164NP-15代表了DRAM发展史上的一个重要阶段，是研究早期计算机内存架构和电子系统设计演进的典型范例。

应用

M5K4164NP-15主要用于20世纪80年代末至90年代中期的各种电子系统中，作为主存储器或缓冲存储器使用。典型应用包括个人计算机的内存条（如早期的SIMM模块）、工业控制系统的PLC内存扩展、嵌入式控制器的数据缓存、传真机和激光打印机的页面缓冲存储、通信基站的临时数据存储以及测试测量仪器中的程序和数据存储。由于其8位数据宽度和128K x 8的组织结构，该芯片常被成组使用以构建更大容量或更宽数据总线的内存系统，例如四片并行使用构成32位总线系统。在一些老式工作站和终端设备中，M5K4164NP-15也被用于视频内存或显示缓冲区。此外，该芯片还常见于教育类实验板和微机原理教学设备中，用于帮助学生理解DRAM的工作原理、地址复用机制和刷新控制逻辑。在工业自动化领域，一些长期服役的设备至今仍在使用基于此类DRAM的控制板，因此在设备维护和备件替换时仍需关注其可用性和替代方案。尽管现代系统已普遍采用高密度、低功耗的同步DRAM，但在某些对成本敏感或不需要高性能内存的场合，M5K4164NP-15的设计理念仍具启发意义。