类型：DRAM
　　密度：64 Kbit
　　组织结构：16K x 4
　　工作电压：5V ± 5%
　　访问时间：150 ns
　　封装形式：22引脚 DIP（Dual In-line Package）
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　刷新周期：典型值为8 ms
　　数据保持电压：最小2V
　　功耗：典型工作模式下约100 mW，待机模式下低于20 mW

M5K4164AL-15作为一款经典的CMOS DRAM器件，具备多项针对当时应用环境优化的设计特性。
　　首先，其采用CMOS技术实现低功耗运行，显著优于同期基于NMOS工艺的DRAM芯片。在典型工作条件下，其功耗仅为几十毫瓦级别，这使得它非常适合用于对热管理要求较高的系统或需要长时间运行的工业设备中。此外，该芯片支持多种功耗管理模式，包括待机模式和数据保持模式，能够在系统空闲时有效降低整体能耗。
　　其次，M5K4164AL-15具备良好的电气兼容性，工作电压为标准的5V TTL/CMOS电平，可直接与当时主流的微处理器（如Z80、8086、68000等）无缝接口，无需额外的电平转换电路。其150ns的访问时间在当时的通用DRAM中属于中高端水平，足以满足大多数8位和16位系统的性能需求。
　　再者，该器件集成了必要的控制信号逻辑，包括行地址选通（RAS）、列地址选通（CAS）、写使能（WE）以及输出使能（OE）等，支持标准的异步DRAM操作时序。内部采用多路复用地址输入方式，通过分时传送行地址和列地址来减少引脚数量，从而降低了封装成本和PCB布线复杂度。
　　此外，M5K4164AL-15内置了片上刷新逻辑或支持外部刷新控制，能够满足DRAM单元定期刷新以维持数据完整性的需求。其22引脚DIP封装不仅便于手工焊接和更换，也利于在原型开发和教学实验中使用。
　　最后，该芯片在抗噪声干扰、温度稳定性和长期可靠性方面表现出色，经过严格的老化测试和质量控制流程，确保在工业级环境下的稳定运行。虽然其存储密度在今天看来极小，但在其时代背景下，是构建中小型内存系统的理想选择之一。

M5K4164AL-15主要应用于20世纪80年代至90年代的各种电子系统中，尤其是在早期个人计算机、工业控制器、嵌入式系统和通信设备中广泛使用。
　　在个人计算机领域，该芯片常被用于如IBM PC/XT及其兼容机的内存扩展卡中，作为主存储器的基本组成单元。由于其4位数据宽度，通常需要多片并联（例如四片或八片）来构成8位或16位的数据总线，以匹配CPU的数据接口要求。
　　在工业自动化方面，许多PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床（CNC）和测量仪器采用了M5K4164AL-15作为程序缓冲区或数据暂存区，利用其稳定性和耐用性来保障关键任务的连续运行。
　　此外，在电信交换设备、调制解调器、传真机等通信类产品中，该DRAM用于帧缓存、协议处理中间存储等用途。由于其异步接口特性，易于与各种时序逻辑电路配合使用，因此在无专用内存控制器的简单系统中尤为受欢迎。
　　教育和科研领域也是其重要应用场景之一，许多大学电子工程实验室将其用于数字系统设计课程的教学实验，帮助学生理解DRAM的工作原理、地址多路复用机制以及动态刷新过程。
　　目前，尽管该芯片已被更高密度、更低功耗的现代存储器所取代，但在老旧设备维修、复古计算（retro computing）项目、收藏级电脑修复等领域仍有实际需求。一些爱好者使用它来复原经典游戏机或老式工作站，确保硬件的原始性和兼容性。