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M58LT256KST8ZA6E 发布时间 时间:2025/12/27 3:35:23 查看 阅读:32

M58LT256KST8ZA6E是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高性能串行NOR闪存芯片,广泛应用于需要高可靠性和快速读取能力的嵌入式系统中。该器件采用先进的浮栅存储技术,具备非易失性数据存储能力,能够在断电后依然保持所存储的信息。M58LT256KST8ZA6E的存储容量为256 Mbit(即32 MB),组织结构为按页和扇区进行管理,支持高效的编程与擦除操作。该芯片主要面向工业控制、汽车电子、网络设备以及消费类电子产品等对数据持久性和稳定性要求较高的应用场景。其封装形式为小型化的SOIC-8或WSON-8,适合在空间受限的PCB设计中使用。工作电压范围通常为2.7V至3.6V,兼容低功耗系统设计,并支持多种节能模式以延长电池寿命。此外,该器件符合RoHS环保标准,适用于无铅焊接工艺。得益于其高速SPI(Serial Peripheral Interface)通信接口,M58LT256KST8ZA6E能够实现高达104 MHz的时钟频率,从而提供快速的数据读取性能,满足实时系统对响应速度的需求。内部集成错误检测与纠正机制(ECC)、写保护功能以及安全寄存器,有效防止非法访问和意外数据修改,提升了系统的整体安全性与可靠性。

参数

型号:M58LT256KST8ZA6E
  制造商:STMicroelectronics
  存储容量:256 Mbit (32MB)
  存储架构:串行NOR Flash
  接口类型:SPI, QPI
  工作电压:2.7V ~ 3.6V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:SOIC-8
  时钟频率:最高104 MHz
  读取电流:典型值8 mA
  待机电流:典型值1 μA
  编程时间:典型值0.7 ms/页
  耐久性:100,000次编程/擦除周期
  数据保持时间:20年
  页面大小:256字节
  扇区大小:4KB / 64KB

特性

M58LT256KST8ZA6E具备多项先进特性,使其在同类产品中脱颖而出。首先,该芯片支持标准SPI、双I/O SPI(Dual I/O)、四I/O SPI(Quad I/O)以及QPI(Quad Peripheral Interface)模式,极大地提升了数据传输效率,在全速运行下可实现接近104 MHz的等效时钟频率,显著缩短了固件加载和数据读取的时间,适用于需要频繁读取程序代码的应用场景,如微控制器启动引导(XIP, eXecute In Place)。其次,器件内置高级写保护机制,包括软件写保护、硬件写保护(通过WP#引脚)以及临时和永久锁定功能,用户可对特定地址区域设置不可更改状态,防止关键固件被误擦除或篡改,特别适用于工业自动化和汽车电子中的安全敏感系统。
  该芯片还集成了增强型错误校正码(ECC)引擎,在读取过程中自动检测并纠正单比特错误,提升数据完整性,降低系统故障率。同时支持逐页编程(Page Program)和多级扇区擦除(Sector Erase, Block Erase, Chip Erase),允许灵活的数据管理策略,优化存储资源利用。M58LT256KST8ZA6E具有出色的环境适应能力,可在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作,确保在极端工业或户外环境中仍能维持可靠性能。其低功耗设计包含多种省电模式,例如深度掉电模式(Deep Power-down Mode),在此模式下电流消耗可降至1 μA以下,非常适合便携式设备或远程传感器节点。此外,该器件通过AEC-Q100认证的可能性较高,表明其具备车规级可靠性,可用于车载信息娱乐系统或驾驶辅助模块。所有这些特性共同构成了一个高效、安全、可靠的非易失性存储解决方案。

应用

M58LT256KST8ZA6E广泛应用于多个高要求的技术领域。在工业控制系统中,常用于存储PLC固件、配置参数及实时日志数据,其高耐久性和长期数据保持能力确保设备长时间稳定运行。在汽车电子方面,该芯片适用于仪表盘显示模块、ADAS(高级驾驶辅助系统)传感器校准数据存储以及车载导航系统的地图缓存,满足车规级对温度和振动的严苛要求。在网络通信设备中,如路由器、交换机和光模块,M58LT256KST8ZA6E作为Boot Flash使用,用于存放启动代码和操作系统镜像,凭借其高速读取能力加快设备上电自检和初始化过程。消费类电子产品如智能家电、可穿戴设备和智能家居中枢也大量采用该器件,以实现快速响应和低功耗待机。此外,在医疗仪器中,用于保存设备校准信息、患者使用记录和固件更新包,保障数据的安全性与合规性。由于其支持XIP(就地执行)模式,处理器可以直接从该Flash中执行代码,无需将程序加载到RAM,节省内存资源并简化系统架构。这一特性使其成为许多基于ARM Cortex-M系列MCU的设计首选。总体而言,M58LT256KST8ZA6E凭借其高性能、高可靠性和多功能接口,已成为现代嵌入式系统中不可或缺的核心存储元件。

替代型号

S25FL256SAGBHI21
  N25Q256A13EF840E
  IS25LP256D-JBLE

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M58LT256KST8ZA6E参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织16M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率52 MHz
  • 写周期时间 - 字,页85ns
  • 访问时间85 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 2V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳64-TBGA
  • 供应商器件封装64-TBGA(10x13)