M58LT128HSB8ZA6 时间：2025/7/23 10:05:26 阅读：8

M58LT128HSB8ZA6 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款低电压NOR闪存芯片，容量为128Mbit（16MB），采用高性能异步接口，适用于需要快速读取和可靠存储的应用场景。该芯片具有高性能、低功耗和高可靠性，广泛应用于通信设备、工业控制系统、汽车电子及消费类电子产品中。

参数

容量：128Mbit
　　组织结构：16MB（异步NOR Flash）
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：55ns（最大）
　　封装类型：TSOP
　　引脚数量：56
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：异步并行接口
　　读取电流（最大）：20mA
　　待机电流（最大）：10μA

特性

M58LT128HSB8ZA6 是一款专为高性能嵌入式应用设计的 NOR 闪存芯片，具备出色的稳定性和耐用性。其核心特性包括高速访问时间和低功耗设计，使其在各种复杂环境下都能稳定运行。
　　该芯片支持异步读取操作，访问时间低至55ns，适合对响应速度要求较高的系统应用。此外，其电压范围为2.3V至3.6V，使其兼容多种电源设计，并具备良好的功耗控制能力，待机电流低于10μA，非常适合电池供电设备使用。
　　在可靠性方面，M58LT128HSB8ZA6 采用先进的闪存技术，确保数据在极端温度条件下（-40°C 至 +85°C）仍能保持完整，适用于工业控制、汽车电子等严苛环境中的数据存储需求。
　　封装形式为56引脚TSOP，有助于减少PCB空间占用，提高系统集成度。同时，该芯片支持多种编程和擦除操作，适用于固件更新和数据频繁变更的应用场景。

应用

M58LT128HSB8ZA6 常用于需要高性能代码存储和数据保存的应用中，例如：
　　工业自动化控制系统中的程序存储与参数保存；
　　汽车电子系统中用于存储导航数据、控制逻辑和诊断信息；
　　通信设备如路由器、交换机中的固件引导和配置存储；
　　高端消费类电子产品，如智能家电、便携式设备等对存储稳定性和性能有较高要求的场合。