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M58LR128KT85ZB5E 发布时间 时间:2025/12/27 3:40:20 查看 阅读:11

M58LR128KT85ZB5E是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高性能、低功耗的串行NOR闪存芯片,广泛应用于需要高可靠性和快速读取能力的嵌入式系统中。该器件采用先进的浮栅存储技术,提供128兆位(16兆字节)的存储容量,适用于代码存储、数据记录以及固件更新等多种应用场景。M58LR128KT85ZB5E支持标准SPI(Serial Peripheral Interface)和双/四通道I/O模式(Dual/Quad I/O),能够显著提升数据传输速率,满足现代嵌入式设备对高速访问的需求。该芯片工作电压范围为2.7V至3.6V,适合电池供电或低功耗系统使用,并具备出色的耐久性和数据保持能力,典型擦写次数可达10万次,数据保存时间超过20年。此外,该器件集成了多种保护机制,包括软件和硬件写保护、顶部/底部扇区锁定功能,有效防止意外数据修改或删除,确保系统安全稳定运行。封装形式为8引脚SOIC或WSON,体积小巧,便于在空间受限的设计中集成。M58LR128KT85ZB5E符合工业级温度范围要求(-40°C至+85°C),适用于工业控制、汽车电子、网络设备、医疗仪器等严苛环境下的应用。

参数

型号:M58LR128KT85ZB5E
  制造商:STMicroelectronics
  存储容量:128 Mbit (16 MB)
  组织结构:16,777,216 x 8 bits
  接口类型:SPI, Dual SPI, Quad SPI
  时钟频率:最高支持85 MHz
  工作电压:2.7V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:8-pin SOIC, WSON
  编程电压:内部电荷泵生成
  典型擦写寿命:100,000 次
  数据保持时间:超过20年
  写保护功能:软件与硬件写保护,顶部/底部扇区锁定
  待机电流:典型值1 μA(掉电模式)
  读取电流:典型值8 mA(连续读取)
  编程/擦除电流:典型值25 mA

特性

M58LR128KT85ZB5E具备多项先进特性,使其成为高可靠性嵌入式系统中的理想选择。首先,其支持多种SPI操作模式,包括标准SPI、Dual Output/IO、Quad Output/IO,极大提升了数据吞吐能力,在Quad模式下可实现高达85MHz的时钟频率,从而显著缩短代码执行时间和固件加载延迟。其次,该芯片内置高效的命令集架构,支持快速读取、页编程、扇区擦除、块擦除和全片擦除等功能,并可通过使能QPI(Quad Peripheral Interface)进一步优化总线利用率。芯片还配备了灵活的写保护机制,用户可通过状态寄存器配置特定区域的只读属性,防止关键代码或配置数据被误修改;同时支持Vpp引脚的硬件写保护输入,增强系统的物理安全性。在可靠性方面,M58LR128KT85ZB5E采用经过验证的浮栅技术,具备卓越的耐久性(10万次擦写循环)和长期数据保持能力(超过20年),即使在极端温度条件下也能稳定运行。此外,该器件支持低功耗管理模式,包括待机模式和深度掉电模式,可将电流消耗降至微安级别,特别适用于移动设备或远程传感器节点等对能耗敏感的应用场景。所有操作均通过标准化指令集控制,兼容JEDEC规范,便于与主流微控制器和处理器集成。
  为了提升系统安全性,该芯片还集成了状态寄存器保护、写使能锁存、上电复位检测等机制,确保在电源不稳定或异常断电情况下不会发生意外写入。另外,M58LR128KT85ZB5E支持逐扇区(4KB)、大块(64KB)及整片擦除操作,满足不同粒度的数据管理需求,尤其适合需要频繁更新部分固件的场合。其地址空间布局合理,支持统一扇区划分,并可通过软件设定保护区域的位置(顶部或底部),增强了系统设计的灵活性。整体而言,这些特性共同构成了一个高效、安全、稳定的非易失性存储解决方案,适用于对性能和可靠性有严格要求的工业与汽车级应用。

应用

M58LR128KT85ZB5E广泛应用于各类需要高速、可靠非易失性存储的嵌入式系统中。在工业自动化领域,它常用于PLC控制器、HMI人机界面、工业网关等设备中,用于存储启动代码、操作系统映像、配置参数及日志数据,其宽温特性和抗干扰能力确保了在复杂电磁环境下的稳定运行。在汽车电子系统中,该芯片可用于ADAS辅助驾驶模块、车载信息娱乐系统(IVI)、仪表盘显示单元以及ECU电子控制单元的固件存储,满足AEC-Q100相关可靠性标准,适应车辆在高低温循环、振动和潮湿环境下的长期使用需求。在网络通信设备如路由器、交换机和光模块中,M58LR128KT85ZB5E作为Boot Flash使用,负责存储BIOS或引导程序,支持快速启动和远程固件升级(FOTA),提高设备维护效率。在消费类电子产品中,例如智能家居中枢、高端音频播放器和可穿戴设备,该芯片提供紧凑且低功耗的存储方案,兼顾性能与电池续航。医疗设备如便携式监护仪、超声成像系统也采用此类高可靠性闪存来保存校准数据、操作日志和诊断程序,确保数据完整性与患者安全。此外,在物联网终端节点、无线传感器网络和边缘计算设备中,M58LR128KT85ZB5E凭借其小尺寸封装和低功耗特性,成为理想的本地代码与数据存储介质。其支持的Quad SPI接口大幅降低了主控MCU的等待时间,提升了系统响应速度,尤其适合实时性要求较高的应用场景。总体来看,该芯片凭借其多功能性、高稳定性及广泛的环境适应能力,已成为现代嵌入式系统中不可或缺的核心组件之一。

替代型号

S25FL128SAGBHI201
  W25Q128JVSIQ
  MT25QL128ABA1EW9

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M58LR128KT85ZB5E参数

  • 标准包装2,016
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器闪存
  • 存储器类型闪存 - 或非
  • 存储容量128M(8Mx16)
  • 速度85ns
  • 接口并联
  • 电源电压1.7 V ~ 2 V
  • 工作温度-30°C ~ 85°C
  • 封装/外壳56-VFBGA
  • 供应商设备封装56-VFBGA(7.7x9)
  • 包装托盘