类型：非易失性存储器（Flash Memory）
　　存储容量：16MB
　　数据宽度：16位（x16）
　　接口类型：并行接口
　　电源电压：2.3V至3.6V
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　读取访问时间：55ns、70ns等可选
　　封装引脚数：56引脚
　　存储器架构：NOR Flash
　　擦写周期：10万次以上
　　数据保持时间：10年以上

M58BW016DBT 是一款高性能的16MB并行NOR Flash存储器，专为高速数据访问和高可靠性要求的应用而设计。其主要特性包括16位宽的数据总线接口，使得数据传输速率更快，适用于图像存储、程序代码存储和实时数据记录等应用场景。芯片支持低电压工作范围（2.3V至3.6V），提高了系统设计的灵活性，并具有低功耗模式，适用于电池供电设备和嵌入式系统。
　　该芯片采用CMOS技术，具备出色的抗干扰能力和稳定性，能够在工业级温度范围内稳定工作（-40°C至+85°C），适用于恶劣环境下的工业控制和车载系统应用。M58BW016DBT 的访问时间可选为55ns或70ns，适应不同性能要求的系统设计。
　　在可靠性方面，M58BW016DBT 提供高达10万个擦写周期，数据可保持10年以上不丢失，确保长期稳定运行。此外，该芯片内置硬件写保护功能，防止误擦除或误写入，增强数据安全性。其TSOP封装形式体积小巧，便于在空间受限的设备中使用。

M58BW016DBT 适用于多种需要高速、大容量非易失性存储的应用领域。例如，在通信设备中用于存储固件和配置信息；在嵌入式系统中用于启动代码（Bootloader）和操作系统映像的存储；在工业控制系统中用于保存实时数据和操作参数；在消费类电子产品如智能家电、电子阅读器和便携式设备中用于存储程序和用户数据。此外，该芯片也常用于汽车电子系统、医疗设备和测试测量仪器等对可靠性要求较高的应用场景。

M58BW016DBT的替代型号包括M58BW016VBT（V封装）、M58BW016TFT（FBGA封装）、AM29LV160DB（AMD/Spansion）、S29GL128S（Cypress）等类似规格的16位并行Flash存储器。