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M58BW016DBT 发布时间 时间:2025/7/22 15:04:25 查看 阅读:7

M58BW016DBT 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的16位宽闪存存储器芯片,属于并行闪存存储器系列。该芯片具有16MB的存储容量,适用于需要高速数据访问和大容量存储的应用场景。M58BW016DBT采用CMOS工艺制造,具备低功耗、高可靠性和稳定性,适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C)。该芯片广泛应用于通信设备、嵌入式系统、工业控制、消费电子产品等领域。

参数

类型:非易失性存储器(Flash Memory)
  存储容量:16MB
  数据宽度:16位(x16)
  接口类型:并行接口
  电源电压:2.3V至3.6V
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  读取访问时间:55ns、70ns等可选
  封装引脚数:56引脚
  存储器架构:NOR Flash
  擦写周期:10万次以上
  数据保持时间:10年以上

特性

M58BW016DBT 是一款高性能的16MB并行NOR Flash存储器,专为高速数据访问和高可靠性要求的应用而设计。其主要特性包括16位宽的数据总线接口,使得数据传输速率更快,适用于图像存储、程序代码存储和实时数据记录等应用场景。芯片支持低电压工作范围(2.3V至3.6V),提高了系统设计的灵活性,并具有低功耗模式,适用于电池供电设备和嵌入式系统。
  该芯片采用CMOS技术,具备出色的抗干扰能力和稳定性,能够在工业级温度范围内稳定工作(-40°C至+85°C),适用于恶劣环境下的工业控制和车载系统应用。M58BW016DBT 的访问时间可选为55ns或70ns,适应不同性能要求的系统设计。
  在可靠性方面,M58BW016DBT 提供高达10万个擦写周期,数据可保持10年以上不丢失,确保长期稳定运行。此外,该芯片内置硬件写保护功能,防止误擦除或误写入,增强数据安全性。其TSOP封装形式体积小巧,便于在空间受限的设备中使用。

应用

M58BW016DBT 适用于多种需要高速、大容量非易失性存储的应用领域。例如,在通信设备中用于存储固件和配置信息;在嵌入式系统中用于启动代码(Bootloader)和操作系统映像的存储;在工业控制系统中用于保存实时数据和操作参数;在消费类电子产品如智能家电、电子阅读器和便携式设备中用于存储程序和用户数据。此外,该芯片也常用于汽车电子系统、医疗设备和测试测量仪器等对可靠性要求较高的应用场景。

替代型号

M58BW016DBT的替代型号包括M58BW016VBT(V封装)、M58BW016TFT(FBGA封装)、AM29LV160DB(AMD/Spansion)、S29GL128S(Cypress)等类似规格的16位并行Flash存储器。

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