M57788MR是一款由日本三菱电机(Mitsubishi Electric)推出的高性能、高可靠性的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块,广泛应用于工业驱动、逆变电源、不间断电源(UPS)、电焊机以及可再生能源系统等中高功率电力电子设备中。该模块采用先进的沟槽栅场截止(Trench Gate Field-Stop)技术,结合优化的芯片设计与封装工艺,实现了低导通压降、低开关损耗和优异的热稳定性。M57788MR属于三菱第二代或第三代IGBT模块产品线,具备良好的动态性能和坚固的结构设计,适合在高温、高湿、高振动等严苛环境下长期稳定运行。该模块通常采用标准2代或3代62mm封装形式,便于安装与散热管理,并支持并联使用以满足更高电流需求。其内部集成有NTC温度传感器,可用于实时监测模块结温,提升系统保护能力与可靠性。此外,M57788MR还内置反并联快速恢复二极管,进一步简化外围电路设计,提高整体系统效率。
型号:M57788MR
器件类型:IGBT模块
制造商:三菱电机(Mitsubishi Electric)
最大集电极电流(Ic):800A(峰值)
最大重复集射极电压(Vces):1200V
集电极-发射极饱和电压(Vce(sat)):典型值2.1V(在Ic=400A, Vge=15V条件下)
关断能耗(Eoff):典型值约45mJ(测试条件依数据手册)
反向恢复特性:内置快速恢复二极管,反向恢复时间trr典型值为75ns
工作结温范围:-40°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
隔离电压(Visolation):≥2500VAC(1分钟)
热阻(Rth(j-c)):约0.12°C/W(每IGBT芯片)
封装形式:62mm螺栓型模块(常见为三相桥式或单管配置)
内置元件:IGBT芯片 + 反并联FWD + NTC温度传感器
栅极驱动电压推荐范围:+15V开通,-5V至-10V关断
M57788MR IGBT模块的核心优势在于其采用了先进的沟槽栅与场截止层(Field-Stop)技术,这种结构显著降低了电流传导路径中的电阻,从而有效减小了集电极-发射极饱和电压(Vce(sat)),提高了导通效率并减少了功率损耗。同时,场截止层的设计优化了电场分布,使得在保持高耐压能力的同时,能够实现更薄的漂移区,进而降低载流子存储时间,减少开关过程中的能量损耗,尤其是在高频开关应用中表现出优越的能效性能。
该模块具备出色的短路耐受能力,能够在规定的栅极电压下承受数微秒的短路电流而不发生永久性损坏,这一特性极大地增强了系统的安全性和鲁棒性。此外,模块内部集成的快速恢复二极管具有较低的反向恢复电荷(Qrr)和软恢复特性,避免了剧烈的电流变化率(di/dt)引起的电磁干扰(EMI)问题,提升了整个逆变系统的电磁兼容性(EMC)表现。
M57788MR采用高强度陶瓷基板(如氧化铝或氮化铝)与铜底板结构,确保了良好的热传导性能和机械强度。其外部端子经过镀银处理,增强了导电性和抗氧化能力,适用于长时间大电流工作的场景。模块还配备了一个或多个负温度系数(NTC)热敏电阻,嵌入在绝缘基板下靠近IGBT芯片的位置,能够准确反映芯片的实际工作温度,为控制系统提供可靠的过热保护信号。
在制造工艺方面,M57788MR使用了先进的焊接与引线键合技术,确保内部连接的可靠性,并通过严格的气密性测试和老化筛选流程,保障产品的一致性和长寿命。该模块符合多项国际安全与环保标准,包括UL、CSA、VDE认证以及RoHS指令要求,适用于全球范围内的工业与能源系统集成。
M57788MR IGBT模块被广泛应用于多种中高功率电力电子变换系统中。在工业自动化领域,它常用于通用变频器和伺服驱动器中作为主逆变单元,控制交流电动机的转速与转矩,实现节能高效的电机调速。由于其高电流承载能力和良好的动态响应特性,特别适用于重载启动和频繁加减速的应用场合。
在不间断电源(UPS)系统中,M57788MR用于DC/AC逆变级,将蓄电池或整流后的直流电转换为稳定的正弦波交流输出,保障关键负载在市电中断时持续供电。其低损耗特性和高可靠性有助于提升UPS的整体效率和可用性。
在电焊机设备中,尤其是逆变式弧焊电源,M57788MR用于高频斩波和逆变环节,实现紧凑化设计和高效能量转换,支持多种焊接工艺如MIG/MAG、TIG和手工焊。模块的快速开关能力和抗冲击电流特性非常适合焊接过程中复杂的负载变化。
此外,该模块也应用于太阳能光伏并网逆变器和风力发电变流器中,在可再生能源系统中完成直流到交流的能量转换。其宽温度工作范围和高环境适应性使其能在户外恶劣气候条件下长期稳定运行。其他应用还包括感应加热、有源滤波器(APF)、动态电压恢复器(DVR)和电动汽车充电桩等电力调节与能量管理系统。
CM1000HA-34H
F4-800R12KS4