类型：CMOS SRAM
　　容量：64 Kbit (8K × 8)
　　组织结构：8192字 × 8位
　　电源电压：5V ±10%
　　工作电流（最大）：75mA（典型值约为35mA）
　　待机电流：≤ 2μA（CMOS低功耗模式）
　　访问时间：100ns / 120ns / 150ns（根据速度等级）
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　封装形式：28-DIP、28-SOIC
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级），-40°C 至 +85°C（工业级）
　　引脚数量：28
　　读写控制信号：OE#（输出使能）、WE#（写使能）、CE#（片选，低电平有效）
　　地址线数量：13（A0-A12）
　　数据线数量：8（I/O0-I/O7）

M51164L具备出色的电气特性和稳定的时序性能，能够确保在高频操作下的数据完整性。其核心特性之一是全静态异步设计，这意味着只要供电持续，数据即可无限期保持，且无需动态刷新机制，极大降低了系统复杂度和功耗开销。该器件采用先进的CMOS工艺制造，显著降低了静态和动态功耗，尤其在待机模式下电流极低，适用于对能耗敏感的应用场景。其高速访问时间（最快可达100ns）使其能够在主频较高的微处理器系统中作为缓存或临时数据存储使用，有效提升整体系统响应速度。
　　M51164L具有高度的抗干扰能力和噪声抑制性能，输入端内置施密特触发器，增强了信号的稳定性和抗噪能力，即使在电磁环境复杂的工业现场也能可靠工作。所有输入引脚均具备过压保护和静电放电（ESD）防护功能，典型HBM模型可承受超过4000V的静电冲击，提升了器件在生产和使用过程中的耐用性。输出驱动能力强，可直接驱动多个TTL负载，无需额外缓冲电路，简化了外围设计。
　　该芯片支持三态输出控制，允许多个存储器或其他外设共享同一数据总线，通过片选（CE#）、输出使能（OE#）和写使能（WE#）三个控制信号实现精确的读写时序管理。这种灵活的控制方式使得M51164L可以轻松集成到基于总线架构的系统中，如ISA总线、微控制器并行接口等。此外，其引脚排列符合JEDEC标准，便于替换同类SRAM产品或进行PCB标准化设计。
　　在可靠性方面，M51164L经过严格的出厂测试和老化筛选，保证在额定条件下长期稳定运行。器件支持无限次读写操作，不存在像EEPROM或Flash那样的写入寿命限制，特别适合频繁更新数据的应用场合，如实时数据采集缓冲区、FIFO队列管理、图形帧缓存等。其宽温工作能力进一步扩展了适用范围，可在极端温度环境下保持性能稳定，满足工业自动化、车载设备、远程监控等领域的严苛要求。

M51164L广泛应用于多种需要高速、可靠、非易失性无关的随机存取存储的电子系统中。在工业控制领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和数据采集模块中作为程序运行缓冲区或中间计算数据存储。在通信设备中，它被用作路由器、交换机或调制解调器中的报文暂存器或协议处理缓冲区，以提高数据吞吐效率。消费类电子产品如打印机、复印机、POS终端和家用多媒体设备也常采用该芯片来存储临时运行数据或字体缓存。
　　在嵌入式系统中，M51164L常与8位或16位微控制器（如8051、Z80、68HC11等）配合使用，扩展其内部RAM容量，从而支持更复杂的算法或多任务处理。在汽车电子中，可用于仪表盘控制系统、车载诊断系统（OBD）或车身控制模块中，提供快速响应的数据存储支持。此外，在测试测量仪器、医疗设备和安防监控系统中，该SRAM也扮演着关键角色，用于实时信号处理过程中的数据暂存。
　　由于其成熟的设计和广泛的供货渠道，M51164L还常见于教育实验平台和开发板中，帮助学生和工程师学习存储器接口时序、总线操作原理以及嵌入式系统架构设计。在一些老旧设备的维护和升级项目中，该芯片也是首选的替换型号之一，因其兼容性强且易于采购。尽管新型低功耗异步SRAM不断涌现，但M51164L凭借其稳定的质量和长期的技术支持，仍在特定市场中占据重要地位。

IS61LV64AL-10B, CY62167E, AS6C6416, MB84V4216