型号：M50LPW116N5G
　　制造商：STMicroelectronics
　　存储容量：16 Mbit (2 MB)
　　架构：串行闪存（SPI/QPI）
　　接口类型：SPI, QPI
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　时钟频率：最高支持 50 MHz（SPI），104 MHz（QPI）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8-pin SOIC, WSON8
　　编程电压：单电源供电（无需额外Vpp）
　　读取电流：典型值 5 mA（连续读取）
　　待机电流：典型值 1 μA（掉电模式）
　　写保护功能：软件与硬件结合，支持按扇区/块锁定
　　擦除耐久性：100,000 次典型擦写周期
　　数据保持时间：超过 20 年
　　写入时间：页编程时间典型值 0.7 ms，扇区擦除时间典型值 400 ms

M50LPW116N5G具备多项先进特性，使其在同类串行闪存产品中脱颖而出。首先，该芯片支持多种工作模式，包括主动读取、低功耗待机和深度掉电模式，能够在不同应用场景下灵活调节功耗表现，尤其适合电池供电或能源受限的系统。其深度掉电模式可将电流消耗降至1μA以下，极大延长了设备的待机时间。
　　其次，M50LPW116N5G提供卓越的数据完整性保护机制。它内置了多种写保护选项，包括软件写保护命令、WP#引脚硬件写保护、状态寄存器保护（SRP）、以及可配置的顶部/底部扇区锁定功能。这些机制可以组合使用，实现对关键固件区域的多层级防护，防止误擦写或恶意修改。此外，该芯片支持临时和永久性锁定（OTP - One-Time Programmable）功能，可用于存储唯一设备标识、加密密钥或校准参数等不可更改的信息，增强系统的安全性。
　　再者，M50LPW116N5G兼容JEDEC标准指令集，支持标准SPI（Single I/O）、Dual SPI和Quad SPI/QPI操作模式。在QPI模式下，数据传输速率显著提升，最大可达104MHz时钟频率下的全双工通信，大幅提升大容量数据读取效率，适用于需要快速启动或频繁加载数据的应用，如图形显示缓冲、固件远程升级等。
　　该器件还具备良好的环境适应性和可靠性。其工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），可在恶劣环境下稳定运行。制造工艺采用高可靠性的浮栅技术，确保在高温、高湿或电磁干扰较强的工业现场仍能保持数据完整。此外，芯片内部集成了上电复位（POR）电路和电压监控模块，保证在电源不稳定的情况下也能安全启动和操作，避免因电压波动导致的数据损坏。
　　最后，M50LPW116N5G支持高效的块管理结构，包含多个可独立擦除的扇区（如4KB小扇区）和大块（如64KB），便于实现细粒度的数据更新和磨损均衡算法，延长整体使用寿命。所有写入和擦除操作均可通过单一3.3V电源完成，无需外部高压编程，简化了系统电源设计。

M50LPW116N5G广泛应用于多种需要非易失性存储的嵌入式系统中。在工业自动化领域，常用于PLC控制器、HMI人机界面、传感器模块中存储固件程序、配置参数和运行日志；在通信设备中，作为路由器、交换机或基站模块的引导闪存，用于存放启动代码和网络配置信息；在消费类电子产品如智能家电、可穿戴设备中，用于保存用户设置、系统校准数据和应用程序代码；在汽车电子中，适用于仪表盘、车载娱乐系统和ADAS辅助驾驶模块，满足车规级可靠性要求（尽管需确认具体版本是否通过AEC-Q100认证）。此外，该芯片也常用于医疗设备、测试仪器和物联网终端节点，作为主控MCU的外部程序存储器，支持XIP（eXecute In Place）模式，允许处理器直接从闪存执行代码，减少对RAM资源的占用，提升系统响应速度。由于其支持安全写保护和OTP功能，也可用于需要防篡改设计的安全认证模块或加密设备中，保护敏感信息不被非法读取或修改。

M25P16
　　EN25Q16
　　S25FL128S