时间：2025/5/23 6:16:38
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M4A3-128/64-10VNC-12VNI 是一款由三星公司生产的NAND闪存芯片，广泛应用于存储设备中。该芯片具有高可靠性和快速读写性能，适用于嵌入式系统、固态硬盘（SSD）以及其他需要大容量数据存储的场景。其主要特点包括低功耗设计和高密度存储能力。
容量：128Gb/64Gb
接口类型：Toggle Mode 2.0
工作电压：1.8V/3.3V
封装形式：BGA
引脚数：169
数据传输速率：最高可达400MT/s
擦写次数：3000次（典型值）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
M4A3-128/64-10VNC-12VNI 使用了先进的3D NAND技术，相比传统的2D NAND，在单位面积内提供了更高的存储密度。同时，该芯片支持Toggle Mode 2.0接口协议，能够实现更快的数据传输速度。
此外，这款芯片还具备以下优势：
1. 高效的纠错码（ECC）机制，确保数据的完整性和可靠性。
2. 内置坏块管理功能，延长使用寿命。
3. 支持多种数据保护技术，如数据刷新和磨损均衡算法。
4. 提供灵活的分区配置选项，满足不同应用场景的需求。
总体而言，M4A3-128/64-10VNC-12VNI 是一款高性能、低功耗的NAND闪存解决方案，非常适合对存储密度和速度有较高要求的应用环境。
该芯片主要应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。常见的具体应用包括：
1. 固态硬盘（SSD）制造。
2. 嵌入式系统的内部存储。
3. 智能手机和平板电脑等移动设备的存储扩展。
4. 数字摄像机和监控设备的数据记录。
5. 工业级计算机和服务器的高速缓存。
M4A3-128/64-10VNC-12VNI 的高可靠性和耐用性使其在各种恶劣环境下依然表现出色，因此也适合用于航空航天和军工领域的特殊存储需求。
K9WBG08U1M-SCKC, MX30UF1G48AC-TI
