M48Z58Y-70MH1F是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的实时时钟(RTC)芯片,内置非易失性静态随机存取存储器(NVSRAM)。该芯片通过将实时时钟和非易失性存储器结合,提供了时间记录和数据存储的双重功能,适用于需要高可靠性和断电保护的应用场合。M48Z58Y-70MH1F采用先进的CMOS技术,具备低功耗特性,并通过外部电池供电在系统断电时保持时间和数据的完整性。
类型:实时时钟(RTC)与非易失性存储器(NVSRAM)结合
供电电压:4.5V至5.5V
存储容量:512 x 8 位 NVSRAM(4Kb)
访问时间:70ns
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装形式:28引脚SSOP
时钟精度:±3.5分钟/月(在25°C下)
数据保留时间:典型值10年(使用电池供电)
接口类型:并行接口(8位数据总线)
M48Z58Y-70MH1F的主要特性之一是其集成的实时时钟功能,可提供秒、分钟、小时、日、月、年等时间信息,并支持闰年补偿。时钟数据通过内部寄存器存储,并可通过并行总线接口进行读写操作。此外,该芯片内置512字节的NVSRAM,可在系统断电时通过外部电池保持数据不丢失,适用于需要长期保存关键数据的应用场景。
该芯片采用了自动电源检测机制,当主电源下降至阈值以下时,芯片会自动切换至电池供电模式,确保时钟继续运行且存储器数据不会丢失。同时,在主电源恢复后,芯片将自动切换回正常工作模式。这种无缝切换机制确保了系统的高可用性和数据可靠性。
M48Z58Y-70MH1F的并行接口设计使其与多种微控制器和嵌入式系统兼容,方便系统集成。其高速访问时间(70ns)确保了快速的数据读写能力,适用于需要实时数据存储和时间戳记录的应用。此外,该芯片还具备低功耗模式,进一步延长电池使用寿命。
M48Z58Y-70MH1F广泛应用于需要精确时间记录和非易失性数据存储的工业控制系统、数据采集设备、智能仪表、医疗设备和安防系统等领域。例如,在工业自动化中,该芯片可用于记录设备运行时间和故障事件发生时间,帮助进行维护和故障分析。在智能电表和水表中,M48Z58Y-70MH1F可用于提供时间戳,确保数据采集的准确性。此外,该芯片还可用于POS终端、电子锁、远程监控系统等设备,提供可靠的时间基准和数据存储功能。
DS1685, M48T02, RV1805, DS3231