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M45PE10S-VMP6G 发布时间 时间:2025/12/27 3:30:02 查看 阅读:15

M45PE10S-VMP6G是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的串行闪存芯片,属于其M45系列中的低电压、小容量存储器产品。该器件采用先进的浮栅存储技术,具备高可靠性与耐久性,适用于需要非易失性数据存储的嵌入式系统和便携式电子设备。M45PE10S系列支持SPI(Serial Peripheral Interface)通信协议,具有标准的四线制接口(SI、SO、SCK、S#),同时兼容双I/O模式以提升数据传输效率。该型号的封装形式为微型MLP8(Mini Leadless Package),尺寸紧凑,适合空间受限的应用场景。其工作电压范围为2.7V至3.6V,确保在电池供电或低压系统中稳定运行。此外,该芯片内建了页编程和扇区擦除功能,并支持多种省电模式,包括待机模式和深度掉电模式,有助于降低整体系统功耗。M45PE10S-VMP6G广泛应用于消费类电子产品、工业控制模块、网络设备以及需要固件存储和参数保存的场合。由于其良好的兼容性和成熟的工艺制程,该芯片在市场上拥有较高的稳定供货记录,并被众多设计工程师所采用。

参数

型号:M45PE10S-VMP6G
  制造商:STMicroelectronics
  存储类型:非易失性闪存
  存储容量:1 Mbit (128 K × 8)
  接口类型:SPI, 支持 Dual I/O
  工作电压:2.7 V 至 3.6 V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:MLP8 (8-pin Mini Leadless Package)
  时钟频率:最高支持 75 MHz
  写保护功能:支持硬件写保护(通过WP#引脚)
  保持电压检测:支持VCC监视和上电复位电路
  编程电压:内部电荷泵生成高压
  擦除方式:按扇区(4 KB)、块(64 KB)或整片擦除
  编程方式:按页(256 字节)编程
  状态寄存器:支持读取忙状态、写使能、保护位设置等
  数据保持时间:典型值100年
  擦写次数:每个扇区可承受10万次擦写循环

特性

该芯片具备卓越的读写性能与系统集成能力,支持高速连续读取操作,在75MHz时钟下可达75Mbps的数据吞吐率,满足实时性要求较高的应用场景。其内置的状态寄存器允许主机查询器件当前是否处于编程或擦除过程中,从而实现精确的流程控制。M45PE10S-VMP6G支持多种指令集,包括快速读取、双重输出读取(Dual Output Fast Read)、页面编程、扇区擦除、批量擦除、写使能/禁止、保护锁定等功能,增强了使用的灵活性。
  为了提高系统的安全性与稳定性,该器件配备了软件和硬件双重写保护机制。通过状态寄存器中的保护位可以对部分或全部存储区域进行写保护,防止误操作导致关键数据丢失;同时,WP#引脚提供硬件级别的写保护控制,当该引脚拉低时,禁止对状态寄存器的修改,进一步增强防护能力。此外,芯片集成了上电复位(Power-on Reset)检测电路,确保在电源上升期间自动进入安全状态,避免因电压不稳定引起的异常操作。
  低功耗设计是该器件的重要特点之一。除了正常工作模式外,还支持待机模式和深度掉电模式。在深度掉电模式下,电流消耗可降至1μA以下,非常适合电池供电或需长期待机的设备。退出掉电模式仅需发送特定指令即可恢复全功能运行,响应迅速且无需额外延迟。所有操作均符合工业级环境要求,能够在-40°C至+85°C的宽温范围内可靠工作,适应严苛的工业和户外应用环境。

应用

广泛用于需要小型化、低功耗和高可靠性的嵌入式系统中。常见应用包括网络路由器、交换机中的配置信息存储,工业自动化控制器的参数保存,医疗仪器的校准数据记录,以及消费类电子产品如数码相机、便携式音频播放器中的固件存储。由于其SPI接口简单、占用MCU引脚少,也常被用于微控制器单元(MCU)外部扩展程序存储器,特别是在资源受限的8位或16位单片机系统中。此外,在智能卡终端、POS机、传感器节点和物联网(IoT)边缘设备中,该芯片可用于保存设备序列号、加密密钥、运行日志等敏感或持久性数据。其小型封装和高集成度使其成为PCB空间有限的设计方案的理想选择。在汽车电子领域,虽然不属于车规级器件,但在车载后装市场如行车记录仪、导航模块中也有广泛应用。得益于其成熟的供应链和技术文档支持,开发人员可以快速完成驱动开发与系统集成,缩短产品上市周期。

替代型号

M25P10-AFDF6TP/M25P10-AFDW6TP/M25PE10-VMP6G

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M45PE10S-VMP6G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量1Mb
  • 存储器组织128K x 8
  • 存储器接口SPI
  • 时钟频率75 MHz
  • 写周期时间 - 字,页3ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装8-VFQFPN(6x5)