型号：M40B90CB
　　制造商：STMicroelectronics
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：900 V
　　最大漏极电流（ID）：40 A（@25°C）
　　连续漏极电流（ID）：23 A（@TC=100°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：160 A
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　导通电阻（RDS(on) max）：230 mΩ（@VGS=10V, ID=20A）
　　阈值电压（VGS(th)）：4.0 V ~ 7.0 V
　　输入电容（Ciss）：3800 pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：190 pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：74 ns
　　二极管正向电压（VSD）：1.6 V（@IS=40A）
　　功耗（PD）：300 W（@TC=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220AB

M40B90CB采用STMicroelectronics独有的STripFET?垂直场效应晶体管技术，这种技术通过优化芯片内部结构实现了极低的导通电阻与高击穿电压之间的平衡，使其在高压应用中仍能保持高效的能量转换效率。其核心优势在于低RDS(on)，典型值仅为230mΩ，在高电流负载下显著减少导通损耗，从而提升整体系统能效并降低散热需求。该器件具备优良的开关特性，包括快速的开启和关断速度，有助于减少开关过程中的能量损耗，特别适用于高频开关电源设计。
　　另一个关键特性是其卓越的热性能和稳定性。M40B90CB的TO-220封装具有较低的热阻（RthJC ≈ 0.4 °C/W），能够有效将芯片产生的热量传导至散热器，确保长时间高负荷运行时的可靠性。同时，器件的最大结温可达+150°C，适应恶劣工业环境下的温度波动。此外，它还具备较强的抗雪崩能力，能够在发生过压或感性负载突变时吸收一定的能量而不损坏，提高了系统的安全裕度。
　　栅极驱动方面，M40B90CB支持标准逻辑电平驱动（通常需要10V以上VGS以完全导通），兼容常见的驱动IC，并可通过适当的门极电阻调节开关速度以优化EMI性能。体二极管具有较低的反向恢复时间（trr=74ns）和软恢复特性，减少了反向恢复带来的电压尖峰和电磁干扰，适用于硬开关和部分软开关拓扑。综合来看，M40B90CB在高压、大电流应用场景中表现出色，兼具高性能、高可靠性和易用性，是现代电力电子系统中理想的功率开关选择。

M40B90CB主要应用于各类需要高压大功率开关能力的电力电子系统中。常见用途包括离线式开关电源（SMPS），如AC-DC适配器、服务器电源和工业电源模块，其中它常被用作主开关管或辅助开关，实现高效能量转换。在DC-DC变换器中，尤其是在升压（Boost）、反激（Flyback）和半桥/全桥拓扑结构中，该器件凭借其高耐压和低导通损耗的优势，可有效提高转换效率并减小系统体积。
　　此外，M40B90CB也广泛用于电机驱动系统，例如家用电器中的压缩机驱动、工业泵和风扇控制系统，作为H桥电路中的开关元件，提供稳定的电流控制能力。在太阳能逆变器和UPS不间断电源等新能源与备用电源设备中，该MOSFET可用于直流侧开关或旁路控制，保障系统在电网异常时的安全切换。
　　其他应用还包括照明电源（如高强度放电灯HID镇流器）、电焊机、感应加热设备以及各种工业自动化控制系统中的功率控制模块。由于其具备良好的抗干扰能力和长期运行稳定性，M40B90CB非常适合部署在高温、高湿或电磁环境复杂的工业现场。总之，凡是涉及900V级别电压切换且要求高可靠性的场合，M40B90CB都是一种成熟且值得信赖的解决方案。