型号：M37920S4CGP-DC6
　　制造商：Samsung
　　类型：LPDDR3 SDRAM
　　容量：2Gb (256MB)
　　组织结构：128Meg x 16
　　电压：1.35V / 1.25V（VDD/VDDQ）
　　数据速率：1600 Mbps（800MHz 时钟频率）
　　封装：90-ball FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）
　　引脚数：90
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行，16位数据总线
　　刷新模式：自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新（TCSR）
　　突发长度：BL=32（默认），支持BC与MC模式切换
　　时序参数：CL=11，tRCD=11，tRP=11（典型值，依速度等级而定）
　　特性阻抗：50Ω ±20%（带ODT支持）
　　最大时钟频率：800MHz
　　功耗：典型工作电流低于标准DDR3，具体值取决于工作模式与频率

M37920S4CGP-DC6 具备多项先进的低功耗与高性能特性，专为移动计算平台设计。首先，该芯片采用1.35V低电压供电（VDD/VDDQ），相较于传统1.5V DDR3内存，系统整体功耗可降低约15%-20%，尤其适合对电池寿命敏感的应用场景。其核心架构基于8 Bank DRAM设计，支持高效的并发操作，能够同时处理多个Bank的数据访问，提升内存带宽利用率。在数据传输方面，该器件支持双倍数据速率（DDR）技术，在时钟的上升沿和下降沿均可传输数据，理论峰值带宽可达12.8GB/s（16bit × 800MHz × 2）。
　　该芯片集成动态片内终端（Dynamic ODT）功能，可在读写过程中自动启用或禁用内部终端电阻，有效减少信号反射和噪声干扰，提高高速信号传输的稳定性，尤其在高密度PCB布局中表现优异。此外，支持多种电源管理模式，包括自动刷新（Auto Refresh）、自刷新（Self Refresh）、温度补偿自刷新（TCSR）以及部分阵列自刷新（PASR），允许系统根据实际负载动态调整功耗状态。例如，在待机或轻载状态下，PASR功能可仅保留关键数据区的刷新操作，其余区域进入休眠，显著降低静态功耗。
　　M37920S4CGP-DC6 还具备灵活的突发控制机制，支持两种突发模式：突发转换（Burst Chop, BC）和突发组合（Burst Combine, MC），用户可根据应用场景选择最优传输粒度。其封装采用90-ball FBGA，尺寸紧凑，适用于空间受限的移动设备主板设计。所有控制、地址和数据信号均与时钟差分输入（CK/CK#）同步，确保精确的时序控制。器件符合RoHS环保标准，无铅且兼容无铅焊接工艺，适合现代绿色电子产品制造流程。

M37920S4CGP-DC6 主要应用于对功耗、性能和体积有严格要求的便携式电子设备。典型应用场景包括中高端智能手机和平板电脑，作为主内存组件支持操作系统运行、应用程序加载和多媒体处理等任务。由于其高带宽和低延迟特性，该芯片也广泛用于嵌入式移动计算平台，如智能手表、AR/VR头显设备、车载信息娱乐系统以及工业手持终端等。在这些设备中，M37920S4CGP-DC6 能够高效支持图形渲染、视频解码、多任务并行处理等资源密集型操作，同时通过多种节能技术延长设备续航时间。
　　此外，该器件适用于超极本（Ultrabook）、二合一笔记本电脑和其他轻薄型个人计算设备，作为系统内存帮助实现快速启动、流畅响应和低功耗待机。在物联网（IoT）网关和边缘计算节点中，M37920S4CGP-DC6 可提供足够的运行内存来支撑本地数据处理和通信协议栈运行，同时保持较低的能耗水平。由于其符合JEDEC标准，该芯片可与主流应用处理器（如三星Exynos系列、高通骁龙系列、联发科天玑系列等）无缝对接，简化系统设计和验证流程。在消费类电子产品的小批量定制开发或原型设计中，该芯片也常被选作评估平台的内存解决方案，便于工程师进行性能测试和功耗优化。

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　　M378B5263CBS0-CYK
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