类型：DDR4 SDRAM
　　密度：4Gb (512MB)
　　组织结构：512M x 8
　　工作电压：1.2V ±0.06V
　　数据速率：2133 Mbps (PC4-17000)
　　时序参数：CL15
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：78
　　工作温度范围：0°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +95°C
　　刷新模式：自动/自刷新
　　接口标准：SSTL_12
　　最大输入电压：1.32V
　　待机电流：典型值 10mA
　　激活电流：典型值 80mA
　　封装尺寸：9mm x 13mm x 0.8mm
　　制造工艺：先进深亚微米CMOS工艺

M378T6553EZS-CD5 具备多项先进的技术特性，确保其在高速数据处理和复杂系统环境中表现出卓越的性能与可靠性。
　　首先，该芯片基于DDR4架构，相较于前代DDR3，在频率、带宽和功耗方面均有显著提升。其核心运行电压仅为1.2V，相比DDR3的1.5V降低了约20%的功耗，有效减少了系统整体能耗，提升了能效比，特别适合移动设备和绿色节能计算平台使用。此外，更低的电压也有助于减少热量产生，从而提高系统的热稳定性和长期运行的可靠性。
　　其次，该芯片支持高达2133Mbps的数据传输速率，对应的实际时钟频率为1066MHz（双倍数据速率），配合CL15的CAS延迟，能够在保证响应速度的同时维持较高的数据吞吐能力。其内部组织为512M x 8结构，即每个芯片提供4Gb容量，便于构建多种配置的内存模块，例如将多个颗粒并联组成x16或x32接口的模组，满足不同系统对带宽和容量的需求。
　　再者，M378T6553EZS-CD5 集成了多种电源管理功能，包括深度掉电模式（Deep Power-down Mode）、温度补偿自刷新（TCSR）和部分阵列自刷新（PAR），这些机制可以根据系统负载动态调整功耗状态，进一步优化能源利用效率。特别是在轻负载或待机状态下，芯片可自动进入低功耗模式，显著延长电池供电设备的续航时间。
　　该器件还具备良好的信号完整性和抗干扰能力，采用差分时钟输入（CK_t/CK_c）、命令/地址奇偶校验以及写入均衡支持等特性，增强了高频下的稳定性。同时，其支持ZQ校准功能，能够实时调节输出驱动强度和ODT阻值，以补偿由于温度和电压变化引起的阻抗漂移，确保数据传输的一致性和准确性。
　　最后，该芯片采用紧凑型78-ball FBGA封装，具有优异的机械强度和散热性能，适用于高密度PCB布局，并可通过回流焊工艺实现自动化贴装，适合大规模量产应用。其工作温度范围覆盖0°C至+85°C，满足商业级应用需求，且经过严格的老化测试和可靠性验证，确保长时间运行下的数据完整性与系统稳定性。

M378T6553EZS-CD5 广泛应用于各类需要高性能、低功耗存储解决方案的电子系统中。
　　在消费类电子产品领域，该芯片常见于笔记本电脑、超极本、一体机及迷你PC等设备中，作为主内存颗粒使用，支持操作系统流畅运行和多任务并发处理。其低电压特性有助于延长移动设备的电池寿命，同时满足现代轻薄化设计对空间和散热的要求。
　　在桌面计算平台方面，它被用于组装UDIMM（无缓冲双列直插内存模块）或焊接在主板上的板载内存，服务于主流台式机和工作站，支持从日常办公到图像处理、视频剪辑等多种应用场景。
　　在网络通信设备中，如路由器、交换机和网络附加存储（NAS）系统，该芯片可用于缓存数据包、加速数据转发以及支持嵌入式操作系统运行，保障网络服务的高效与稳定。
　　在工业控制与自动化领域，M378T6553EZS-CD5 可用于工控机、PLC控制器、HMI人机界面等设备，提供可靠的运行内存支持，适应恶劣环境下的持续工作需求。
　　此外，该芯片也适用于服务器和数据中心中的低功耗内存模组构建，尤其在边缘计算节点或微型服务器中发挥重要作用。得益于其高兼容性和成熟的供应链体系，M378T6553EZS-CD5 成为许多OEM厂商首选的DDR4颗粒之一，广泛出现在三星、惠普、戴尔、联想等品牌设备的内存组件中。

M378T6553EZS-CE6
　　M378T6553EZS-CQF
　　K4F6E3S4HM-FCDA
　　NT5CC512M8FN-DI