容量：8 Mbit（1M x8/512K x16）
　　电源电压：2.7V至3.6V
　　访问时间：70ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度：-40°C至+85°C
　　接口类型：异步并行
　　读取电流（典型值）：10mA（在5MHz下）
　　待机电流：10μA
　　编程/擦除电压：内部电荷泵提供

M29W800DB70ZE6T 具备多项出色的性能特性。首先，其70ns的快速访问时间使其适用于高性能嵌入式系统，能够显著提升系统启动和代码执行的速度。
　　其次，该芯片支持异步并行接口，兼容多种微处理器和控制器，易于集成到现有系统中。
　　此外，M29W800DB70ZE6T 的工作电压范围为2.7V至3.6V，具备良好的电源适应性，在低电压环境下依然能保持稳定运行。
　　它支持页模式读取和字节/字编程，提供灵活的读写操作方式。同时，芯片内置硬件数据保护机制，防止意外写入或擦除操作，确保关键数据的安全性。
　　该芯片还具备高耐久性，支持10万次以上的编程/擦除周期，适合需要频繁更新数据的应用场景。
　　最后，M29W800DB70ZE6T 符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的工业和消费类电子产品。

M29W800DB70ZE6T 广泛应用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用包括工业控制系统、通信设备、网络设备、医疗仪器、消费电子产品（如数码相机、便携式设备）以及汽车电子系统。
　　在工业控制领域，该芯片可用于存储固件、配置参数和校准数据，确保系统在断电后仍能保留关键信息。
　　在网络和通信设备中，M29W800DB70ZE6T 可作为启动代码存储器（Boot Flash），支持快速启动和系统升级。
　　在消费类电子产品中，该芯片用于存储操作系统、驱动程序和用户设置，具有良好的稳定性和耐用性。
　　在汽车电子应用中，该芯片可在发动机控制单元、仪表盘系统和车载娱乐系统中提供可靠的非易失性存储解决方案。

M29W800DT70Z, M29W160EB, M29W320GB