M29W640FB70N 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款并行接口的NOR型闪存芯片,存储容量为64Mbit(8MB),主要设计用于嵌入式系统中的代码存储和数据存储。该芯片支持高性能的随机读取操作,具备可靠的非易失性存储特性,适用于需要快速访问和高稳定性的应用场景。
容量:64Mbit(8MB)
电压范围:2.3V至3.6V
接口类型:并行(x8/x16)
最大访问时间:70ns
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装形式:TSOP
读取电流:最大15mA
待机电流:最大5μA
擦写耐久性:10万次编程/擦除周期
数据保存时间:10年
M29W640FB70N 具备出色的读取性能和稳定性,适用于需要高速访问和高可靠性的应用环境。该芯片采用并行接口设计,支持x8和x16两种数据总线宽度,从而提高了与微处理器或控制器的兼容性。
其最大访问时间为70ns,能够满足高速系统的需求。M29W640FB70N 工作电压范围为2.3V至3.6V,具有较宽的电源适应能力,适用于多种供电环境。该芯片的封装形式为TSOP,体积小,适合嵌入式设备的紧凑布局。
在功耗方面,M29W640FB70N 表现出良好的节能特性,正常读取模式下电流仅为15mA,待机模式下电流低至5μA,有助于延长设备电池寿命。此外,该芯片支持10万次编程/擦除周期,数据保存能力长达10年,具备优异的耐久性和长期可靠性。
为了提高使用的灵活性,M29W640FB70N 支持扇区擦除和块擦除功能,允许用户根据具体需求对存储内容进行部分更新,避免了全片擦除带来的不便。芯片内部集成了错误检测和自动擦写控制功能,确保了操作的安全性和稳定性。
M29W640FB70N 主要用于需要存储和运行代码的嵌入式系统,如工业控制设备、网络通信设备、消费类电子产品、车载导航系统、医疗设备等。其高速读取能力和高可靠性使其非常适合用于存储固件、引导代码、操作系统映像和关键数据等信息。此外,由于其低功耗和宽工作温度范围,M29W640FB70N 也广泛应用于便携式设备和恶劣环境下的控制系统。
M29W640GB70N, M29W640EB70N, M29W800BB70N