时间：2025/4/30 9:58:31
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M29W160ET70N6E 是一款闪存（Flash Memory）芯片，属于 STMicroelectronics（意法半导体）的 M29W 系列。该系列芯片广泛应用于需要存储程序代码或数据的设备中，如消费类电子产品、工业控制系统和通信设备等。M29W160ET 提供了 16Mbit 的存储容量，并支持多种接口模式，具备高可靠性和快速编程/擦除性能。
存储容量：16Mbit
工作电压：2.7V 至 3.6V
接口类型：Parallel Flash
封装形式：TSSOP-48
数据保存时间：超过 20 年
擦写周期：100,000 次
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
编程时间：典型值为 3ms
擦除时间：典型值为 5s
M29W160ET70N6E 是一款高性能的 Parallel Flash 存储器，具有以下特点：
1. 高密度存储：提供 16Mbit 的存储空间，适合复杂应用的固件存储需求。
2. 快速访问速度：支持高达 70ns 的访问时间，确保高效的数据读取性能。
3. 多种操作模式：支持 Byte-Program 和 Sector-Erase 功能，允许灵活地对数据进行修改。
4. 可靠性强：具备 20 年以上的数据保存能力和 10 万次的擦写寿命，适用于长期运行的系统。
5. 宽工作电压范围：支持 2.7V 至 3.6V 的电压范围，适应不同电源设计的需求。
6. 节能特性：在待机模式下功耗极低，有助于延长电池供电设备的使用寿命。
M29W160ET70N6E 主要用于需要大容量存储的应用场景，包括但不限于：
1. 嵌入式系统：作为微控制器或 DSP 的外部存储器，用于存放启动代码和应用程序。
2. 工业控制：为 PLC、变频器等工业设备提供可靠的存储解决方案。
3. 消费类电子：应用于数字电视、机顶盒、打印机等设备中，用于存储固件或用户配置。
4. 通信设备：在路由器、交换机等网络设备中存储引导程序和配置文件。
5. 医疗设备：用作关键数据和程序的非易失性存储介质。
M29W160DB, M29W160EB, AT49BV160D, SST39VF160
