容量：8Mbit (1MB)
　　接口类型：并行接口
　　电压范围：2.7V 至 3.6V
　　读取访问时间：90ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数量：56
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　擦写周期：100,000 次
　　编程时间：70μs/word（典型）
　　擦除时间：典型为 1 秒/块

M29F800DB-90N1 具备多项高性能特性，首先，其高速访问时间为 90ns，可满足对读取速度要求较高的应用需求。其次，该芯片采用低功耗设计，在待机模式下电流消耗极低，适合需要节能的系统。此外，该 NOR Flash 支持在线读写操作，允许在不中断系统运行的情况下进行数据更新。
　　这款芯片的存储结构分为多个可独立擦除的块（Sector），增强了数据管理的灵活性，并支持块锁定功能，防止误写入或误擦除。内置的命令寄存器支持标准的 JEDEC 接口指令，便于与各种控制器进行兼容和通信。
　　为了提高可靠性，M29F800DB-90N1 还具备自动擦除和编程算法，确保每次操作的稳定性和一致性。此外，其采用的 TSOP 封装形式有助于节省 PCB 空间，并具备良好的热稳定性和机械强度。

M29F800DB-90N1 适用于多种嵌入式系统和工业应用，如工业控制器、通信模块、医疗设备、消费电子产品中的固件存储等。在汽车电子系统中，该芯片可用于存储启动代码和关键控制数据，确保车辆的稳定运行。此外，它也常用于需要频繁更新代码或数据的场景，例如网络设备的固件升级、智能电表的数据存储等。
　　由于其高可靠性和宽工作温度范围，该芯片也适合用于恶劣环境下的工业设备，如工厂自动化控制系统、远程监控设备等。同时，M29F800DB-90N1 的低功耗特性也使其成为电池供电设备的理想选择。

M29F800FT-90N1, M29F800FB-90N1, AM29LV800DB-90EC