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M29F400FT55N3F2 发布时间 时间:2025/12/27 3:00:37 查看 阅读:11

M29F400FT55N3F2是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款并行接口的单电源闪存(Flash Memory)芯片,属于M29F系列。该器件容量为4兆位(4 Mbit),组织方式为512K × 8位或256K × 16位,支持字节/字模式操作,适用于需要非易失性存储的嵌入式系统和工业控制应用。M29F400FT55N3F2采用先进的闪存技术,可在单电源电压下进行快速读取、页编程和块擦除操作,无需额外的高电压编程电源,简化了系统设计。该芯片封装形式为TSOP48,具有较小的封装尺寸,适合对空间要求较高的应用场景。其工作温度范围通常为工业级(-40°C 至 +85°C),确保在严苛环境下稳定运行。M29F400FT55N3F2广泛用于网络设备、打印机、工业控制器、消费类电子产品以及固件存储等场合。

参数

型号:M29F400FT55N3F2
  制造商:STMicroelectronics
  存储容量:4 Mbit(512K × 8 / 256K × 16)
  接口类型:并行(Parallel)
  电源电压:2.7V 至 3.6V
  访问时间:55ns
  封装类型:TSOP48
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  擦除方式:扇区擦除、整片擦除
  编程方式:页编程(Page Programming)
  写使能:通过命令寄存器控制
  只读模式:标准CE#、OE#、WE#控制

特性

M29F400FT55N3F2具备多项先进特性,使其成为工业与嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案。首先,该芯片采用单电源供电设计,工作电压范围为2.7V至3.6V,兼容低电压系统,无需外部高压编程电源,显著降低了系统复杂性和成本。其内部集成电荷泵电路,能够在内部生成编程和擦除所需的高压,进一步简化了外围电路设计。
  该器件提供55纳秒的快速访问时间,支持高速读取操作,满足实时系统对响应速度的要求。存储阵列被划分为多个可独立擦除的扇区,包括多个不同大小的块结构(如16KB、8KB、32KB等),允许用户灵活地进行局部擦除和更新,特别适用于需要频繁修改部分数据的应用场景,例如固件升级或参数保存。此外,整片擦除功能也便于批量清除操作。
  M29F400FT55N3F2支持字节和字两种数据宽度模式,通过硬件引脚(BYTE#)选择,能够适配8位或16位微处理器/微控制器系统,增强了系统的兼容性与灵活性。芯片内置状态寄存器,可通过查询方式或中断信号(DQ7/DQ6 Toggle Bit)判断编程或擦除操作是否完成,提升了系统效率与可靠性。
  该器件具备高耐久性和数据保持能力,典型情况下可支持10万次编程/擦除周期,数据可保留超过20年。其TSOP48封装不仅节省PCB空间,还具备良好的热性能和电气性能。此外,芯片符合工业级温度规范,在-40°C至+85°C范围内稳定工作,适用于恶劣环境下的长期运行。所有这些特性共同构成了一个可靠、高效且易于集成的闪存解决方案。

应用

M29F400FT55N3F2广泛应用于多种需要可靠非易失性存储的电子系统中。常见用途包括嵌入式控制器中的固件存储,如工业PLC、HMI人机界面设备、电机控制系统等,用于存放启动代码、操作系统映像或配置参数。在网络通信设备中,如路由器、交换机和调制解调器,该芯片可用于存储引导程序(Bootloader)和网络协议栈代码,确保设备上电后能快速加载运行。
  在消费类电子产品方面,M29F400FT55N3F2适用于打印机、多功能一体机、数码复印机等设备,用于保存设备固件、字体库或用户设置信息。由于其支持页编程和扇区擦除,非常适合需要定期更新固件但又不希望影响其他数据区域的应用场景。
  此外,该芯片也常用于汽车电子模块中,如仪表盘控制单元、车身控制模块(BCM)或车载信息娱乐系统的辅助存储,尽管其未标定为AEC-Q100车规级,但在某些非关键车载应用中仍被采用。医疗设备、测试仪器和POS终端等工业设备也利用该芯片进行程序存储和数据记录。得益于其高可靠性、宽温工作能力和成熟的接口标准,M29F400FT55N3F2在许多传统嵌入式系统中仍具有重要地位。

替代型号

M29F400BT-70N6E2, M29W400DT, S29AL004D, AM29LV400DB

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