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M29F200FB55M3F2 发布时间 时间:2025/12/27 3:37:04 查看 阅读:19

M29F200FB55M3F2是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款2兆位(Mbit)的闪存(Flash Memory)芯片,属于其M29F系列中的NOR型闪存产品。该器件采用5V单电源供电,具备高性能与高可靠性的特点,适用于需要嵌入式代码存储和数据保存的应用场景。M29F200FB55M3F2的存储容量为2 Mbit(即256 Kbyte),组织结构为128 K × 16位,支持字节模式访问,方便在8位系统中使用。该芯片采用先进的闪存技术,支持快速读取操作,典型读取访问时间为55纳秒,能够满足高速微处理器系统的时序要求。M29F200FB55M3F2支持标准的命令集,通过写入特定的命令序列来实现芯片的擦除、编程和保护功能。整个芯片被划分为多个块(Block),包括4个较小的扇区(每个4 KB)和31个较大的扇区(每个64 KB),这种扇区结构设计使得用户可以灵活地进行小范围的数据更新或大范围的批量擦除操作,尤其适合固件升级和参数存储等应用。此外,该芯片还具备硬件写保护功能,通过将WP引脚拉低可防止意外写入或擦除操作,增强了数据安全性。M29F200FB55M3F2采用TSOP48封装,符合工业级温度范围(-40°C至+85°C),广泛应用于通信设备、工业控制、消费电子和汽车电子等领域。由于其成熟的技术和稳定的性能,尽管近年来新型串行闪存和更先进的并行闪存不断涌现,M29F200FB系列仍在许多传统系统中保持广泛应用,并拥有良好的供应链支持。

参数

型号:M29F200FB55M3F2
  制造商:STMicroelectronics
  存储类型:NOR Flash
  存储容量:2 Mbit(256 Kbyte)
  组织结构:128K × 16位
  电源电压:5V ± 10%
  读取访问时间:55 ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP-48
  接口类型:并行(16位总线)
  编程电压:内部电荷泵生成
  擦除方式:按块或整片擦除
  写保护功能:支持硬件写保护(WP引脚)
  封装尺寸:标准TSOP48
  引脚数:48
  待机电流:典型值为100 μA
  编程电流:典型值为20 mA

特性

M29F200FB55M3F2具备多项关键特性,使其在嵌入式系统中表现出色。首先,其55ns的快速读取访问时间确保了在高性能微处理器系统中的无缝兼容性,能够在不插入等待状态的情况下直接运行代码,从而提升系统响应速度和整体效率。这种“XIP”(eXecute In Place)能力是NOR闪存的核心优势之一,特别适合用于存储启动代码(Boot Code)、操作系统内核以及应用程序固件。其次,该芯片采用了灵活的扇区架构,包含4个4KB的小扇区和31个64KB的大扇区,这种设计允许用户对配置参数或小量数据进行精细修改而不影响其他区域,同时支持大容量数据的批量擦除,极大提升了存储管理的灵活性。第三,M29F200FB55M3F2内置命令寄存器,通过向特定地址写入标准化的命令序列即可执行编程、擦除、保护等操作,兼容JEDEC标准,便于软件开发和移植。第四,该器件支持10万次以上的编程/擦除周期,并具备长达100年的数据保持能力,体现了其卓越的耐久性和长期可靠性。第五,芯片集成了内部电荷泵,可在标准5V电源下完成编程和擦除操作,无需外部高压支持,简化了系统电源设计。此外,它还具备硬件写保护引脚(WP),当该引脚被拉低时可锁定芯片内容,防止在上电、掉电或系统异常期间发生误操作,有效保障关键数据的安全性。最后,该器件通过了严格的工业级温度认证,在-40°C至+85°C范围内稳定工作,适用于恶劣环境下的工业和汽车应用。综合这些特性,M29F200FB55M3F2成为许多传统嵌入式系统中值得信赖的非易失性存储解决方案。
  

应用

M29F200FB55M3F2广泛应用于多种需要可靠非易失性存储的电子系统中。在嵌入式控制系统中,它常被用作微控制器(MCU)或数字信号处理器(DSP)的外部程序存储器,用于存放启动引导程序(Bootloader)、固件映像和实时操作系统(RTOS),支持系统上电后直接从闪存执行代码,减少对外部RAM加载的依赖,提升启动速度和系统稳定性。在工业自动化领域,该芯片可用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)和远程I/O模块中,存储设备配置参数、校准数据和用户程序,其宽温特性和抗干扰能力确保在工厂环境中长期稳定运行。在通信设备中,如路由器、交换机和基站模块,M29F200FB55M3F2可用于存储设备固件和网络协议栈,支持现场升级(Firmware Over-the-Air或本地更新),其多扇区结构便于实现双备份固件机制,提高系统容错能力。在消费类电子产品中,如机顶盒、打印机和智能家居控制器,该芯片提供经济可靠的代码存储方案。此外,在汽车电子系统中,如车载仪表盘、车身控制模块(BCM)和车载信息娱乐系统(IVI),该器件因其符合AEC相关标准的部分版本且具备高可靠性,也被用于存储控制逻辑和配置信息。由于其并行接口提供较高的数据吞吐率,适合对读取性能有要求的应用场景,尽管功耗相对较高,但在不需要频繁写入、主要以读取为主的系统中仍具显著优势。随着小型化趋势的发展,虽然部分应用已被SPI NOR Flash取代,但M29F200FB55M3F2仍在需要并行接口和高读取性能的设备中持续服役。
  

替代型号

M29F200FB70N6F2
  M29F200FT55M1F2
  S29AL032D
  W29GL032C

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M29F200FB55M3F2参数

  • 现有数量28现货
  • 价格1 : ¥33.07000剪切带(CT)500 : ¥26.66270卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量2Mb
  • 存储器组织256K x 8,128K x 16
  • 存储器接口-
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页55ns
  • 访问时间55 ns
  • 电压 - 供电4.5V ~ 5.5V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳44-SOIC(0.496",12.60mm 宽)
  • 供应商器件封装44-SO