时间：2025/4/29 12:42:07
阅读：4
M29F160FT55N3E2 是一款基于闪存技术的非易失性存储器芯片，属于EPROM（可擦写可编程只读存储器）系列。它采用浮栅技术实现数据存储，支持快速擦除和写入功能。该型号具有高可靠性和长使用寿命的特点，适用于各种工业、消费电子以及嵌入式系统中的程序和数据存储需求。
该芯片提供16Mb的存储容量，采用标准的并行接口进行通信，能够满足对大容量存储的需求。
存储容量：16Mb
工作电压：2.7V 至 3.6V
接口类型：并行接口
封装形式：48-pin TSOP
数据保持时间：超过10年
擦写次数：100,000次
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
M29F160FT55N3E2 具有以下显著特性：
1. 高密度存储能力，适合需要较大存储空间的应用场景。
2. 快速的擦除和编程速度，提升了系统的整体性能。
3. 内置保护机制，防止未经授权的数据写入或擦除操作。
4. 支持块擦除功能，可以灵活地选择擦除特定区域的数据。
5. 工作电压范围宽，适应不同的电源环境，降低了对电源适配的要求。
6. 良好的耐久性和数据保持能力，保证了长期使用的可靠性。
该芯片广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 嵌入式系统中的固件存储，如家用电器控制器、工业自动化设备等。
2. 数据记录设备中用于保存关键信息，例如监控摄像头、医疗设备等。
3. 消费类电子产品中的程序代码存储，如打印机、扫描仪等。
4. 网络通信设备中的配置文件存储，如路由器、交换机等。
5. 游戏机或其他多媒体设备中的游戏或应用程序存储。
M29F160BT55, AM29LV160B, SST39VF160
