容量：1 Mbit
　　组织结构：128 KB x8 / 64 KB x16
　　电源电压：5V
　　接口类型：并行异步接口
　　最大访问时间：90ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　编程电压：内部产生
　　擦写周期：100,000次
　　数据保持时间：10年

M29F100BB90M1 的主要特性之一是其快速的访问时间，最大为90纳秒，这使得它非常适合需要快速启动和执行代码的应用场景。芯片内置编程电压生成器，无需外部高压电源，简化了系统设计。该器件支持字节（x8）和16位（x16）两种数据宽度模式，允许用户根据具体应用需求进行配置。M29F100BB90M1 还支持硬件复位功能，允许用户在需要时快速将芯片恢复到初始状态，提高系统的稳定性和可靠性。
　　此外，该芯片具备低功耗模式，可以在非活跃状态下显著降低功耗，适用于对能耗敏感的设备。M29F100BB90M1 的擦写周期高达10万次，确保了长期使用的耐久性。同时，其数据保持时间可达10年，即使在断电情况下也能保证数据的安全性。芯片采用TSOP封装，适用于空间受限的嵌入式设计，并具备较强的抗干扰能力和工业级的工作温度范围（-40°C至+85°C），适用于恶劣的工业环境。

M29F100BB90M1 广泛应用于嵌入式系统中，用于存储启动代码（Bootloader）、固件或程序代码。它常用于网络设备、工业控制系统、通信设备、消费电子产品以及汽车电子系统中。由于其快速的读取性能和高可靠性，特别适合需要直接执行代码（XIP, eXecute In Place）的场合。例如，在嵌入式微控制器系统中，这款闪存芯片可以作为主存储器，直接运行程序而无需将代码加载到RAM中，从而节省系统资源并提高启动速度。此外，M29F100BB90M1 也可用于数据存储，例如存储设备配置信息、校准数据或日志文件等，适用于各种需要非易失性存储的场景。

M29F100T-90M1B4, M29F100BB-90M1B4, M29F800BB-90M1B4