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M28W160BT100GB6T 发布时间 时间:2025/7/23 13:32:20 查看 阅读:5

M28W160BT100GB6T 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款16MB(兆位)的并行闪存(Flash Memory)芯片,属于NOR Flash类别。这款芯片主要用于需要快速随机访问存储的应用场景,例如固件存储、嵌入式系统、工业控制设备和网络设备。M28W160BT100GB6T 采用55nm制造工艺,具有高性能、低功耗和高可靠性等特点。

参数

容量:16MB
  类型:NOR Flash
  接口类型:并行(x8/x16)
  电压:3.3V
  访问时间:100ns
  封装:TSOP(Thin Small Outline Package)
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)

特性

M28W160BT100GB6T NOR Flash芯片具有多项显著的特性,使其适用于各种嵌入式应用。首先,该芯片支持x8和x16两种数据总线宽度模式,为设计提供了灵活性,允许系统根据需求优化性能和引脚使用。此外,该芯片的访问时间为100ns,确保了快速的数据读取能力,适用于需要低延迟访问的系统。其3.3V的电源电压设计降低了功耗,并提高了与现代嵌入式系统的兼容性。
  该芯片采用TSOP封装,有助于减小PCB空间占用,同时提升了散热性能,适用于空间受限的高密度设计。M28W160BT100GB6T 还具备良好的耐用性,支持高达10万次的擦写周期(P/E Cycles),并且数据保持时间长达10年,适合需要长期可靠存储的应用。
  在可靠性方面,M28W160BT100GB6T 设计了多种保护机制,包括软件和硬件写保护功能,以防止意外的数据擦除或写入。同时,它支持多种擦除模式,如扇区擦除、块擦除和整片擦除,使得用户可以根据具体需求进行灵活管理。芯片内部还集成了自动擦除和编程计时功能,简化了系统设计,降低了主控器的负担。

应用

M28W160BT100GB6T 适用于多种需要中等容量非易失性存储器的嵌入式系统和工业应用。例如,在工业控制设备中,该芯片可用于存储设备的操作系统、配置参数和固件。在通信设备中,它能够作为启动代码和应用程序的存储介质。此外,在消费类电子产品如打印机、智能家电和便携式仪器中,M28W160BT100GB6T 也能提供稳定可靠的存储解决方案。
  由于其并行接口的高速特性,该芯片特别适合需要快速启动和频繁读取操作的系统,例如网络路由器和交换机中的固件存储。此外,M28W160BT100GB6T 的低功耗特性也使其适用于需要节能设计的便携式设备和电池供电系统。
  在汽车电子应用中,该芯片的工业级温度范围(-40°C至+85°C)确保了其在严苛环境下的稳定性,可用于车载导航系统、车载娱乐系统和车载诊断设备等应用场景。

替代型号

M28W160ECT100GB6T, M29W160EB90B1R2A, S29GL128P10TII303

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M28W160BT100GB6T参数

  • 制造商STMicroelectronics
  • 产品种类闪存
  • 数据总线宽度16 bit
  • 存储类型NOR Flash
  • 存储容量16 MB
  • 结构Sectored
  • 接口类型CFI
  • 访问时间100 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min2.7 V
  • 最大工作电流20 mA
  • 工作温度+ 85 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体uBGA-46
  • 封装Reel
  • 组织1 MB x 16
  • 工厂包装数量2500