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M27W801-100N6 发布时间 时间:2025/7/23 2:04:26 查看 阅读:3

M27W801-100N6 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款Flash存储器芯片。该芯片属于M27系列,是一款紫外线可擦除的可编程只读存储器(EPROM)。M27W801-100N6 提供了8M位的存储容量,适用于需要非易失性存储解决方案的应用场景,例如工业控制系统、嵌入式系统和数据存储设备等。该芯片采用了标准的封装形式,易于集成到各种电子设备中。

参数

类型:Flash存储器
  存储容量:8M位
  组织结构:1M x 8
  访问时间:100ns
  工作电压:5V
  封装类型:TSOP
  引脚数:56
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

M27W801-100N6 采用高性能的CMOS技术制造,具有低功耗和高速访问的特点。其100ns的访问时间确保了快速的数据读取能力,适用于对性能要求较高的系统。该芯片的工作电压为标准的5V,兼容常见的电源设计。TSOP封装形式不仅节省空间,还具有良好的热性能和电气性能,适用于高密度PCB布局。
  M27W801-100N6 还具有高可靠性和耐用性,能够在工业级温度范围内稳定工作,适用于严苛的工业环境。此外,该芯片支持紫外线擦除功能,允许用户在需要时重新编程,提高了使用的灵活性。擦除过程通常需要将芯片暴露在特定波长的紫外线下约20分钟,之后可以重新写入数据。
  为了确保数据的完整性和系统的稳定性,M27W801-100N6 还集成了多种保护机制,如写保护功能和错误检测机制。这些特性使其在工业自动化、通信设备和消费电子产品中得到了广泛应用。

应用

M27W801-100N6 主要应用于需要非易失性存储且对可靠性要求较高的场合。例如,工业控制系统中的固件存储、嵌入式系统的程序存储、数据采集设备的数据缓存等。由于其紫外线擦除功能和高可靠性,该芯片也常用于需要频繁更新固件或程序的设备中,如测试设备、医疗仪器和通信模块。

替代型号

M27W801-100N6B6, M27W801-120N6, M27W801-150N6

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M27W801-100N6参数

  • 制造商STMicroelectronics
  • 产品种类可擦除可编程ROM
  • 类型OTP, UV
  • 存储容量8 MB
  • 组织1 MB x 8
  • 接口类型Parallel
  • 工作电流50 mA
  • Programming Voltage12.75 V
  • 工作电源电压2.7 V to 3.6 V
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TSOP-1-32
  • 访问时间100 ns
  • 最小工作温度- 40 C
  • 输出启用访问时间60 ns
  • 封装Tray
  • 工厂包装数量936
  • Supply Voltage - Min2.7 V