您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > M27C800-120F1

M27C800-120F1 发布时间 时间:2025/7/23 7:41:32 查看 阅读:25

M27C800-120F1 是由STMicroelectronics生产的一款高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片,其容量为8Mbit(1M x 8)。该芯片采用高速CMOS技术,具有低功耗和高可靠性,适用于各种需要快速数据访问的应用场景。M27C800-120F1封装在54引脚的TSOP(薄型小外形封装)中,适合高密度电路设计和便携式设备使用。

参数

容量:8Mbit (1M x 8)
  电压范围:2.3V 至 3.6V
  访问时间:12ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:54-TSOP
  数据保持电压:1.5V
  最大工作电流:200mA
  待机电流:10mA

特性

M27C800-120F1是一款高性能的SRAM芯片,其核心特性包括高速访问时间和低功耗设计。该芯片的访问时间为12ns,使其适用于需要快速数据读写的应用,如网络设备、工业控制和通信系统。由于采用CMOS技术,M27C800-120F1在运行时功耗较低,在待机模式下电流消耗也极小,有助于延长电池供电设备的续航时间。
  此外,M27C800-120F1的工作温度范围宽,从-40°C到+85°C,确保其在恶劣环境条件下仍能稳定运行。其54-TSOP封装设计不仅节省空间,还提高了电路板的布线灵活性,非常适合高密度电子设备的设计需求。该芯片还具备数据保持功能,在低至1.5V的电压下仍能保持数据不丢失,进一步增强了系统的可靠性。

应用

M27C800-120F1 SRAM芯片广泛应用于多个高性能电子系统中,包括网络路由器、工业控制设备、嵌入式系统、测试设备和通信基础设施。此外,该芯片也非常适合用于便携式电子产品,如手持终端和数据采集设备,因其低功耗和宽温度范围的特性,能够满足复杂环境下的数据存储需求。

替代型号

M27C800-12F1, M27C800-120F1R, CY62148EVLL-12ZE3, IS61LV25616-12B4I

M27C800-120F1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

M27C800-120F1资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载