容量：8 Mbit（1 Mbyte）
　　组织结构：按页编程（256字节/页），按扇区擦除（64 KB扇区，共16个）
　　接口类型：SPI（串行外设接口），支持标准SPI模式0和模式3
　　工作电压：2.7 V 至 3.6 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8引脚SO（Small Outline，宽体）
　　时钟频率：最高支持75 MHz（快速读取模式）
　　编程时间：典型值为0.7 ms/页（256字节）
　　擦除时间：典型值为1.8 s/扇区（64 KB）
　　耐久性：每个扇区可擦写100,000次
　　数据保留：超过20年
　　写保护功能：软件和硬件写保护（通过WP#引脚）
　　休眠电流：典型值低于1 μA（深度掉电模式）
　　待机电流：典型值为5 μA

M25PE80-VMN6TPBA具备多项先进特性，使其在同类串行闪存产品中具有显著优势。首先，它支持高速SPI接口，最高时钟频率可达75 MHz，允许快速读取操作，适用于对性能要求较高的系统启动和实时数据访问场景。该芯片支持双I/O SPI指令模式（Dual Output Fast Read），可在单个时钟周期内传输两个数据位，从而进一步提升数据吞吐率，有效减少主处理器的等待时间，提高系统整体效率。其次，M25PE80提供灵活的存储管理机制，包括按页编程（256字节）和按扇区擦除（64 KB），允许用户精细控制写入操作，避免不必要的全片擦除，延长器件寿命。
　　该器件内置完整的保护机制，包括软件写保护和硬件写保护。通过WP#引脚可实现对状态寄存器和部分存储区域的硬件锁定，防止意外修改关键配置或引导代码。同时，芯片支持多种安全指令，如写使能/禁止、全局/局部块保护设置等，增强了系统抗干扰能力和数据完整性。此外，M25PE80支持JEDEC标准的电子签名输出，便于主机系统识别器件型号和制造商，简化系统初始化流程。
　　在功耗管理方面，M25PE80集成了自动待机模式和深度掉电模式。在无操作期间自动进入低功耗状态，显著降低静态功耗；在深度掉电模式下，电流消耗可降至1 μA以下，非常适合用于便携式设备、物联网节点和远程传感器等对能耗敏感的应用。该芯片还具备优异的抗辐射和抗噪声能力，适用于工业自动化、汽车电子和医疗设备等高可靠性要求的领域。所有电气特性和可靠性指标均符合AEC-Q100标准的部分要求，并采用无铅和符合RoHS规范的封装工艺，满足现代绿色电子产品的环保需求。

M25PE80-VMN6TPBA广泛应用于需要可靠非易失性存储的各种嵌入式系统中。在工业控制领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和远程I/O模块中存储配置参数、校准数据和运行日志。在消费类电子产品中，该芯片被用于智能家电、数码相机和音频播放器中保存固件和用户设置。在网络通信设备如路由器、交换机和光模块中，M25PE80用于存储启动代码（Boot Code）和设备标识信息，确保系统能够快速可靠地初始化。
　　在汽车电子系统中，尽管该器件未完全通过AEC-Q100认证，但仍可用于部分车载信息娱乐系统、仪表盘显示模块和车身控制单元中，用于存储图形资源、语音提示文件和配置信息。在医疗设备方面，如便携式监护仪、血糖仪和超声探头中，M25PE80用于保存设备序列号、校准曲线和患者使用记录，保障数据长期稳定存储。
　　此外，该芯片也常见于FPGA和CPLD的配置存储应用中，作为外部配置ROM使用，在系统上电时向可编程逻辑器件提供初始配置比特流。由于其小封装尺寸和SPI接口的布线简便性，特别适合空间受限的高密度PCB设计。在物联网（IoT）终端节点中，M25PE80可用于存储传感器历史数据、加密密钥和网络配置，配合微控制器实现本地数据缓存和断网续传功能。其高耐久性和长期数据保持能力也使其适用于需要频繁更新的现场升级（FOTA）应用场景。

M25P80-VMN6TP
　　S25FL008K-VMFIRMI
　　W25Q80DVSSIG
　　EN25Q80-80