型号：M25P80-VMN3TPB
　　制造商：STMicroelectronics
　　存储容量：8 Mbit（1 MB）
　　接口类型：SPI（串行外设接口）
　　时钟频率：最高支持 75 MHz（快速读取模式）
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：8-Pin SO (SO-8)
　　编程/擦除次数：100,000 次典型值
　　数据保持时间：20 年以上
　　页面大小：256 字节
　　扇区数量：128 扇区（每扇区 64 KB）
　　块擦除选项：支持 64 KB 块擦除、32 KB 块擦除和 4 KB 扇区擦除
　　写保护功能：支持软件与硬件写保护
　　待机电流：典型值 1 μA（掉电模式）
　　工作电流：读取模式下典型值 15 mA
　　输入/输出电压兼容性：与 1.8V / 3.3V 逻辑电平兼容（通过电压转换器或电平匹配）

M25P80-VMN3TPB 具备多项先进的电气和功能特性，使其在同类串行闪存产品中具有较高的竞争力。首先，它支持标准 SPI 协议，包括四种操作模式（Mode 0 和 Mode 3），允许主控制器灵活配置时钟极性和相位，从而适应不同的系统设计需求。其高速读取能力在 75 MHz 时钟频率下可实现高达 37.5 MB/s 的数据吞吐率，显著提升系统性能。此外，该芯片提供多层次的擦除选项，包括全芯片擦除、64 KB 块擦除、32 KB 块擦除以及 4 KB 小扇区擦除，使得用户可以根据实际应用精细控制擦除粒度，减少不必要的数据丢失并延长器件寿命。
　　该器件集成了一个可读写的状态寄存器，用于指示当前操作状态（如“写入进行中”）、写使能锁存状态、块保护设置等信息，便于主机系统实时监控和管理存储操作。为了增强数据安全性，M25P80 支持通过软件命令和硬件 WP# 引脚实现写保护机制，防止意外写入或擦除关键数据区域。同时，芯片具备低功耗特性，在待机模式下电流消耗仅为微安级别，在掉电模式下更是接近零功耗，适合电池供电或对能效要求较高的应用。
　　在可靠性方面，M25P80 经过严格测试，保证在工业级温度范围内稳定运行，且具备出色的抗干扰能力和长期数据保持能力。其内部采用先进的浮栅技术制造，支持至少 10 万次的编程/擦除循环，数据可保存超过 20 年。此外，该器件支持连续和随机地址访问模式，满足不同应用场景下的读取需求。内置的上电复位电路确保每次上电后处于已知状态，避免异常操作。整体而言，这些特性使 M25P80-VMN3TPB 成为嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案。

M25P80-VMN3TPB 被广泛应用于多种需要可靠、高效非易失性存储的电子系统中。在嵌入式控制系统中，常用于存储固件代码、配置参数和校准数据，例如在工业 PLC、HMI 人机界面设备和远程 I/O 模块中作为程序存储器使用。在消费类电子产品中，如数字电视、机顶盒、路由器和智能家居设备，该芯片可用于存放启动代码、操作系统映像或用户设置信息，因其小封装和高速读取特性而备受青睐。
　　在网络通信设备领域，M25P80 常被用于交换机、路由器和无线接入点中，用于存储 BIOS 或引导加载程序（Bootloader），确保设备在上电后能够快速加载初始程序并进入正常工作状态。在汽车电子系统中，尽管该型号未标称为 AEC-Q100 认证产品，但仍可用于部分车载信息娱乐系统、仪表盘模块或车身控制模块中，用于存储静态数据或诊断信息，前提是工作环境符合其温度规范。
　　此外，该芯片也适用于医疗仪器、测试测量设备和便携式数据采集装置，用于记录设备配置、日志文件或校准系数。由于其支持小扇区擦除功能，特别适合需要频繁更新局部数据的应用场景。结合其高可靠性、长寿命和良好的温度适应性，M25P80-VMN3TPB 在多行业嵌入式系统中发挥着重要作用。

M25P80VMN6TP
　　M25P80-VMP6G
　　SST25VF080B-33-4C-SPIE
　　W25Q80DV
　　N25Q80A13EF4E2F