型号：M25P80-VMN3PB
　　制造商：STMicroelectronics
　　存储容量：8 Mbit (1 Mbyte)
　　接口类型：SPI (Serial Peripheral Interface)
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：8-Pin SO (Small Outline)
　　时钟频率最高支持：75 MHz (Fast Read mode)
　　写入耐久性：100,000 次编程/擦除周期
　　数据保留时间：20 年
　　页面大小：256 字节
　　扇区大小：4 KB
　　块大小：64 KB
　　编程时间（典型值）：0.7 ms / page
　　扇区擦除时间：0.6 s
　　芯片整体擦除时间：1.8 s
　　待机电流：< 1 μA (典型值)
　　快速读取模式支持：是
　　软件和硬件写保护：支持

M25P80-VMN3PB具备出色的电气性能和稳定的读写控制机制，其核心特性之一是支持高速SPI通信协议，能够在高达75MHz的时钟频率下运行，显著提升数据传输速率，尤其适合对响应速度有要求的应用场景。该芯片提供标准指令集，涵盖读取、写入、擦除、状态寄存器访问等操作，所有命令通过SI（串行输入）引脚输入，SO（串行输出）引脚输出数据，简化了主控MCU的接口设计。其双输出快速读取模式（Dual Output Fast Read）进一步提升了有效吞吐率，在相同时钟频率下实现两倍于传统SPI的数据带宽，优化系统性能。
　　该器件内置一个8位状态寄存器，用于监控芯片当前的操作状态，如写使能锁存、忙碌标志、写保护设置等，用户可通过“读状态寄存器”指令实时获取芯片状态，从而精确控制编程和擦除流程。为了防止意外修改存储内容，M25P80支持多种写保护机制，包括通过WP#引脚实现硬件写保护以及利用状态寄存器中的块保护位（BP2, BP1, BP0）进行软件级别的区域保护，允许用户锁定部分或全部存储空间，增强数据安全性。
　　在电源管理方面，M25P80-VMN3PB具有极低的待机电流，典型值小于1μA，非常适合电池供电或对功耗敏感的便携式设备。同时，其上电自动进入只读保护状态，避免上电瞬间因信号不稳定导致的数据损坏。整个编程和擦除操作由片内定时器自动控制，无需外部干预，提高了操作的可靠性。此外，该芯片采用环保材料制造，符合RoHS指令要求，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子产品的生产规范。其成熟的设计和长期供货历史使其成为工业控制、网络设备、打印机、机顶盒等领域中可靠的非易失性存储选择。

M25P80-VMN3PB广泛应用于各种需要小容量、高可靠性的非易失性存储的嵌入式系统中。常见用途包括存储固件代码、配置参数、校准数据、启动引导程序（Bootloader）以及用户设置信息等。由于其SPI接口简单且占用引脚少，非常适合资源受限的微控制器系统，例如在工业自动化设备中用于保存PLC配置或运行日志；在网络通信设备如路由器、交换机中用于存放BIOS或网络配置文件；在消费类电子产品如数码相机、MP3播放器中用于保存设备设置或小型操作系统镜像。
　　此外，该芯片也常被用作FPGA或DSP的辅助配置存储器，用来存储配置比特流，实现上电自加载功能。在汽车电子领域，尽管其温度范围为工业级，但在部分车载信息终端、仪表盘模块中仍有应用。医疗设备中的一些便携式监测仪器也会选用此类稳定可靠的串行Flash来记录患者数据或设备校准信息。由于其良好的兼容性和成熟的驱动支持，M25P80-VMN3PB也被广泛用于开发板和原型设计中，作为学习和测试SPI Flash通信协议的理想器件。

W25Q80JVSSIG
　　EN25Q80B-75GCP6G
　　SST25VF080B-80-3C-PB