型号：M25P20VMN6
　　制造商：STMicroelectronics
　　存储类型：闪存
　　存储容量：16 Mbit (2 Mbyte)
　　接口类型：SPI
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　时钟频率：最高75 MHz
　　封装类型：8-Pin WSON (5x6 mm)
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　写使能/禁止：支持
　　状态寄存器：支持
　　写保护功能：软件和硬件写保护
　　擦除时间（扇区）：典型值3秒
　　编程时间（页）：典型值0.7毫秒
　　待机电流：典型值1 μA
　　工作电流：典型值9 mA（在75 MHz读取时）
　　数据保持时间：20年（在+85°C下）
　　编程/擦除周期：100,000次

M25P20VMN6具备出色的电气和可靠性特性，支持标准SPI接口模式下的多种指令集，包括READ、FAST_READ、WRITE_ENABLE、PROGRAM、ERASE、WRSR（写状态寄存器）、RDSR（读状态寄存器）以及POWER_DOWN等，用户可以通过简单的命令实现对存储器的全面控制。其支持的快速读取模式（FAST_READ）允许在高频时钟下进行连续数据输出，显著提升了数据吞吐率，适用于对响应速度要求较高的应用场景。芯片内部采用分层结构管理存储空间，包含32个扇区（每扇区64 Kbyte）或512个块（每块4 Kbyte），支持灵活的擦除操作，用户可根据实际需求选择最小擦除单元，优化存储管理效率。
　　该器件具备完整的状态寄存器机制，可通过RDSR指令读取当前操作状态，例如写使能锁存（WEL）、块保护位（BP2-BP0）、写使能禁止（WREN）等，从而实现精细的访问控制。通过设置状态寄存器中的保护位，用户可以锁定部分或全部存储区域，防止意外写入或擦除，特别适用于存放关键固件或校准数据的场合。此外，M25P20VMN6支持硬件写保护（通过/WP引脚控制）和软件写保护双重机制，在系统异常重启或电源不稳定时提供额外的数据安全保障。
　　在低功耗设计方面，M25P20VMN6支持掉电模式（Power-down Mode），在此模式下电流消耗极低（典型值1 μA），有助于延长电池供电设备的续航时间。退出掉电模式仅需发送释放指令（RELEASE），响应速度快，恢复时间短，不影响系统实时性。所有操作均符合工业级温度规范（-40°C至+85°C），可在恶劣环境下稳定运行。制造工艺采用可靠的浮栅技术，经过严格的质量测试，确保产品在各种应用场景中具备高一致性和长寿命。

M25P20VMN6广泛应用于需要中等容量、高速访问和高可靠性的嵌入式系统中。常见用途包括作为微控制器的外部程序存储器，用于存放启动代码（Bootloader）、固件映像或操作系统镜像，尤其适用于资源受限但需外扩存储的MCU系统。在工业自动化领域，该芯片可用于存储设备配置参数、校准数据、运行日志等信息，配合PLC或HMI设备实现稳定的数据记录与调用。在网络通信设备中，如路由器、交换机或IP摄像头，M25P20VMN6常被用来存储设备固件和网络配置，支持远程升级（FOTA）功能。
　　在消费类电子产品中，如智能家电、可穿戴设备、电子书阅读器等，该芯片因其小封装和低功耗特性而备受青睐，能够在有限空间内提供足够的非易失性存储空间。汽车电子系统也广泛采用此类SPI闪存，用于存储仪表盘显示内容、车载娱乐系统资源或ECU升级程序，满足车规级可靠性要求。此外，在医疗设备、测试仪器和POS终端等对数据完整性要求高的设备中，M25P20VMN6凭借其写保护机制和长期数据保持能力，成为理想的存储解决方案。其SPI接口简单易用，仅需4根信号线（CS#, SCK, SI, SO）即可完成通信，极大简化了PCB布线与系统设计复杂度。

M25P20-VME6G
　　N25Q20AA
　　S25FL216K
　　W25Q16JV