型号：M25P20-VMN6
　　制造商：STMicroelectronics
　　存储容量：2 Mbit (256 K × 8)
　　接口类型：SPI, 支持双输出/四输出模式
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　时钟频率：最高75 MHz
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8-Pin SO
　　编程电压：单电源供电
　　写使能方式：通过指令集控制
　　擦除时间：典型值3秒（全片擦除）
　　编程时间：典型值0.7ms（每页）
　　待机电流：典型值1 μA
　　运行电流：典型值9 mA @ 75 MHz
　　存储耐久性：10万次编程/擦除周期
　　数据保持时间：20年
　　写保护功能：软件及硬件写保护支持
　　状态寄存器可锁：支持

M25P20-VMN6具备多项先进的技术特性，使其在嵌入式非易失性存储应用中表现出色。首先，它采用了高性能的SPI串行接口，支持标准SPI指令集，兼容性强，便于与各种微控制器和处理器连接。该芯片支持多种读取模式，包括标准输出读取、快速读取以及双I/O和四I/O快速读取模式，极大提升了数据吞吐速率，满足对响应速度要求较高的应用场景。
　　其次，M25P20-VMN6具备灵活的存储管理能力。其内部存储阵列被划分为32个均匀分布的扇区（每扇区64KB），每个扇区可独立进行擦除操作；同时支持按块（8KB）和按页（256字节）的编程方式，使得用户可以根据实际需求进行精细的数据管理。这种分层擦除结构既提高了效率，也减少了不必要的数据丢失风险。
　　再者，该器件集成了完善的安全与保护机制。除了通过软件指令实现写保护外，还支持硬件写保护（通过W#引脚控制），防止在电源不稳定或系统异常时发生误写或误擦。状态寄存器中的锁定位可以永久性地禁用某些配置选项，增强系统的安全性与可靠性。
　　此外，M25P20-VMN6优化了功耗设计，提供多种低功耗模式。在待机模式下，电流消耗极低，适合电池供电设备使用；在深度掉电模式中，功耗进一步降低至纳安级别，显著延长设备续航时间。所有操作均通过标准化指令集控制，包括写使能、读状态寄存器、页编程、扇区/块擦除、芯片擦除、读数据等，简化了软件开发流程。
　　最后，该芯片采用工业标准的8引脚SO封装，易于PCB布局和自动化装配，且符合RoHS环保规范。整体设计兼顾性能、可靠性与成本效益，适用于广泛的商业和工业应用环境。

M25P20-VMN6广泛应用于需要中等容量非易失性存储的电子系统中。典型应用包括嵌入式系统的程序存储，如工业控制器、PLC模块、传感器节点和远程终端单元（RTU），用于存放启动代码、固件映像或配置参数。在网络通信设备中，如路由器、交换机和调制解调器，该芯片可用于存储引导程序或网络配置信息，支持快速启动和远程升级。在消费类电子产品方面，常用于打印机墨盒识别、家用电器的设置记忆、数码相框的图像缓存以及机顶盒的频道配置存储。此外，在医疗设备、测试仪器和智能仪表中，M25P20-VMN6可用于记录运行日志、校准数据或用户偏好设置。由于其支持SPI接口并具备高可靠性，也被用于汽车电子中的辅助模块，如车载娱乐系统、车身控制模块等非关键性但需长期稳定运行的场景。其小尺寸封装特别适合空间受限的便携式设备，例如手持终端、POS机和物联网网关。得益于其宽温工作范围和抗干扰能力，该芯片同样适用于恶劣工业环境下的长期部署。总体而言，M25P20-VMN6是一款通用性强、适应面广的串行闪存解决方案。

M25P20-VMP6
　　M25P20-VMN3TP
　　M25P20-VMN0
　　W25Q20JVSSIQ
　　EN25Q20ASIP