品牌：STMicroelectronics
　　型号：M25P16S-VMN6TP
　　存储容量：16 Mbit
　　组织结构：2048 K × 8位
　　接口类型：SPI
　　工作电压：2.7 V 至 3.6 V
　　时钟频率：最高支持75 MHz（快速读取模式）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：SO-8（150 mil）
　　写使能/禁止：支持软件和硬件控制
　　写保护功能：VPP/WP 引脚支持硬件写保护
　　擦除时间：典型值为1秒（整片擦除）
　　编程时间：典型值为0.7毫秒/页
　　待机电流：典型值为1 μA（进入掉电模式后）
　　封装宽度：3.9 mm
　　引脚数量：8
　　无铅状态：符合RoHS标准

M25P16S-VMN6TP具备多项先进的电气与功能特性，确保其在各种复杂应用环境下的稳定性和高效性。
　　首先，该芯片支持标准SPI和双输出SPI（Dual Output SPI）模式，允许通过单一I/O线进行地址和数据传输，从而显著提升数据吞吐率。在快速读取指令下，可实现高达75 MHz的时钟频率，满足对实时性要求较高的系统需求。其内部存储阵列被划分为256个扇区（每扇区64 KB）或更小的4-KB块，用户可根据实际需要选择不同粒度的擦除操作，极大提高了存储管理的灵活性。
　　其次，该器件内置了强大的写保护机制。除了可以通过软件命令启用全局或局部写保护外，还可利用硬件WP引脚实现物理级别的写入锁定，有效防止因电源波动或程序异常导致的关键数据丢失。此外，它支持按页编程（最多256字节/页），并具备自动定时控制电路，确保每次编程操作都能在最优时间内完成，避免过冲或欠压带来的可靠性问题。
　　再者，M25P16S-VMN6TP具有优异的耐久性和数据保持能力。每个存储单元可承受多达10万次的擦写循环，且在正常工作条件下，数据可保存长达20年。这对于需要频繁更新配置信息或日志记录的应用至关重要。同时，该芯片集成了上电复位（Power-on Reset）检测电路，在电源建立过程中自动初始化内部状态机，确保系统启动时的操作一致性。
　　最后，为了适应低功耗应用场景，该芯片提供了两种节能模式：待机模式和深度掉电模式。在掉电模式下，电流消耗可降至1 μA以下，非常适合便携式设备或远程传感器节点等对能耗敏感的设计。所有这些特性共同构成了一个可靠、高效、易于集成的非易失性存储解决方案。

M25P16S-VMN6TP广泛用于各类需要中等容量、高速访问和高可靠性的非易失性存储的应用场景。
　　在嵌入式系统中，常用于存储固件代码、引导程序（Bootloader）、设备配置参数以及运行日志等关键信息。例如，在路由器、交换机和其他网络通信设备中，该芯片可用于保存操作系统映像和网络设置，配合微控制器实现快速启动和远程升级功能。由于其SPI接口占用引脚少，特别适合引脚资源紧张的MCU平台。
　　在消费类电子产品中，如智能电视、机顶盒、数码相机和家庭音响系统，M25P16S-VMN6TP可用于存储用户偏好设置、校准数据或图形界面资源文件。其快速读取能力有助于缩短设备开机时间，提升用户体验。
　　在工业自动化领域，该芯片被集成于PLC控制器、HMI面板、传感器模块中，用于记录工艺参数、故障代码和运行历史。其宽温工作范围和抗干扰能力强的特点，使其能在高温、震动或电磁干扰较强的工厂环境中稳定运行。
　　此外，在汽车电子系统中，尽管该型号并非AEC-Q100认证器件，但仍可用于部分车载信息娱乐系统、仪表盘显示单元或车身控制模块中，作为辅助存储介质使用。尤其在需要长期数据保留和频繁读取的场合表现出色。
　　总体而言，凭借其成熟的技术架构、稳定的供货能力和完善的开发支持工具链，M25P16S-VMN6TP已成为许多设计师在中小容量串行闪存选型中的首选之一。

M25P16-VME6G
　　N25Q16A13EF440F
　　S25FL128LADNI010