型号：M25P10-AVMN6P
　　制造商：STMicroelectronics
　　存储容量：1 Mbit (128 KB)
　　接口类型：SPI (Serial Peripheral Interface)
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　时钟频率：最高支持75 MHz
　　封装形式：8-Pin SO (Small Outline)
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　编程页大小：256 字节
　　擦除单位：扇区（4 KB）、块（64 KB）、整片擦除
　　写保护功能：支持软件与硬件写保护
　　待机电流：典型值为1 μA（进入掉电模式后）
　　编程/擦除耐久性：10万次循环
　　数据保持时间：超过20年
　　支持的操作模式：标准SPI、Dual Output Fast Read、Quad Output Fast Read

M25P10-AVMN6P具备多项先进特性，使其在同类串行闪存产品中表现出色。首先，其支持多种SPI读取模式，包括标准SPI、双输出快速读取（Dual Output Fast Read）和四输出快速读取（Quad Output Fast Read），可在相同时钟频率下大幅提升数据传输效率。例如，在使用Quad Output模式时，仅需一个时钟周期即可传输四位数据，从而有效提升系统整体性能，特别适用于对启动时间和响应速度有要求的应用场景，如固件存储或配置信息加载。
　　其次，该芯片提供灵活的擦除选项，用户可根据需求选择扇区擦除（4KB）、块擦除（64KB）或整片擦除，避免了传统大容量擦除带来的资源浪费，提高了存储管理效率。同时，每个扇区均可独立进行编程和擦除操作，增强了数据更新的灵活性。
　　再者，M25P10-AVMN6P内置状态寄存器，允许主机实时监控芯片的工作状态，如写使能锁存、忙碌标志、写保护设置等，确保操作的安全性和可靠性。通过轮询状态寄存器中的“BUSY”位，系统可以准确判断何时完成编程或擦除操作，避免无效等待或冲突操作。
　　此外，该器件支持深度掉电模式（Deep Power-down Mode），在此模式下电流消耗极低（典型值小于1μA），非常适合用于便携式设备或长期运行的低功耗系统。退出掉电模式后可迅速恢复正常操作，不影响系统启动时间。
　　最后，M25P10-AVMN6P具备良好的环境适应性和长期数据保持能力，符合工业级温度规范，并保证在断电情况下数据可保存超过20年，满足严苛应用场景下的稳定性需求。这些综合特性使得该芯片成为中小容量非易失性存储的理想选择。

M25P10-AVMN6P广泛应用于各类嵌入式系统和消费类电子产品中，尤其适合需要可靠、紧凑且低功耗非易失性存储解决方案的场合。常见应用包括微控制器系统的外部程序存储，用于存放启动代码（Bootloader）、固件镜像或操作系统映像，因其支持快速读取模式，能够加快系统上电启动过程，提升用户体验。在工业控制领域，该芯片可用于存储设备配置参数、校准数据或运行日志，配合其高耐用性和宽温工作范围，确保在恶劣环境下稳定运行。
　　此外，M25P10-AVMN6P也常用于网络通信设备，如路由器、交换机或IoT网关模块中，用于保存MAC地址、设备序列号、安全密钥等关键信息。由于其SPI接口占用引脚少，有助于简化PCB布局并降低成本，因此在空间受限的设计中极具优势。
　　在消费电子方面，该芯片被广泛应用于智能家电、可穿戴设备、数码相机和音频播放器等产品中，用于存储用户设置、个性化配置或小型文件系统。其低功耗特性尤其适合由电池供电的设备，在待机状态下进入深度掉电模式以延长续航时间。
　　另外，该器件还可用于汽车电子中的辅助模块，如车载娱乐系统、仪表盘显示单元或远程信息处理终端，用于存储界面资源或诊断数据。由于具备工业级认证和可靠的写入耐久性，能够在车辆复杂电磁环境和温度变化条件下保持数据完整性。
　　总体而言，M25P10-AVMN6P凭借其高集成度、稳定性和兼容性，已成为许多中小型嵌入式项目中不可或缺的存储组件。

M25P10-VMN6P
　　EN25P10
　　W25X10CLSNIG
　　AT25DF1024A-SSHN-B