M2301ENE 时间：2025/8/20 4:35:35 阅读：3

M2301ENE 是一款由东芝（Toshiba）推出的N沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中。该器件采用先进的工艺制造，具备低导通电阻（Rds(on)）、高效率和良好的热稳定性，适合在高频率开关应用中使用。M2301ENE采用小型SOP（Small Outline Package）封装，便于在紧凑型电子设备中进行布局。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：4.4A（在Vgs=10V时）
　　导通电阻（Rds(on)）：36mΩ（最大值，在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOP-8

特性

M2301ENE MOSFET具有多项优良特性，使其在电源管理和功率开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其适用于高电流应用。其次，该器件的最大漏源电压为30V，能够满足多种中低压电源转换需求，例如电池管理系统、DC-DC转换器和同步整流器等。
　　此外，M2301ENE的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V标准驱动电压，同时也兼容3.3V和5V逻辑电平控制，便于与微控制器或电源管理IC配合使用。其SOP-8封装形式不仅体积小巧，有助于节省PCB空间，而且具有良好的散热性能，适合高密度电子产品设计。
　　该MOSFET还具备较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，增强了系统的可靠性和耐久性。同时，其内部结构优化设计减少了开关损耗，使得在高频操作中也能保持良好的效率表现。

应用

M2301ENE 主要应用于各类电源管理系统和功率控制电路中。例如，在DC-DC降压或升压转换器中，M2301ENE可用作主开关元件，实现高效的能量转换。它也常用于电池供电设备（如笔记本电脑、平板电脑、智能手持设备）中的负载开关或电源路径管理模块。
　　此外，该MOSFET还可用于电机驱动、LED背光控制、热插拔电源管理以及各种电源分配系统。由于其低Rds(on)和高效率的特性，特别适合需要节能和延长电池寿命的应用场景。
　　在汽车电子领域，M2301ENE也可用于车载电源系统、车载充电器或辅助电源模块中，满足车载环境对稳定性和可靠性的要求。